DEPTH PROFILING OF HYDROGEN IN SILICON OXIDE AND HIGH-K OXIDE FILMSBY TIME-OF-FLIGHT ERASTIC RECOIL DETECTION

• Project/Area Number: 19760024
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: NAKAJIMA Kaoru Kyoto University, 工学研究科, 助教 (80293885)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥3,570,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2008: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2007: ¥2,400,000 (Direct Cost: ¥2,400,000)
• Keywords: 薄膜 / 高分解能ERD / 水素プロファイル / シリコン酸化膜 / high-k酸化膜

Research Abstract

大立体角のディレイラインディテクターを用いた飛行時間型の弾性反跳粒子検出法(飛行時間ERD)を開発し、極薄ゲート絶縁膜(シリコン酸化膜、high-k酸化膜)の膜中の水素プロファイルの測定に応用した。本装置における反跳粒子の検出効率を評価した。ディレイラインディテクター上の検出位置に対応して、反跳粒子のエネルギー(飛行時間)を試料中の水素の深さに換算する解析ソフトの開発を行なった。水素の分析に関する深さ分解能は約10nmで、極薄ゲート絶縁膜を分析する上で目標にした深さ分解能を得ることができなかった。