Research Project
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
電子相関が電子物性を支配する有機モット絶縁体を用いて電界効果トランジスタ構造を形成し、ゲート電界による物性制御とそのデバイス特性の研究を行った。ゲート電界により誘起される電子・正孔の電界効果移動度の温度依存性をそれぞれ明らかにした。従来より知られていたバルクの金属絶縁体転移は、電子移動度の温度依存性により説明されることが明らかとなった。また、280K および250K 付近で、従来知られていなかった相転移が観測された。また、キャリアドープによるデバイス特性の変化を明らかにした。
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信学技報 IEICE Technical Report vol.108, No.468
Pages: 23-26
110007325111
応用物理学会, 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌 vol.19, No.4
081802
10025081961
応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌 vol.19, No.2
10021106459
信学技報 IEICE Technical Report vol.108,No.59
Pages: 41-44
信学技報IEICE Technical Report 108
応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌 19
Pages: 215-220
10024448107
Applied Physics Express 1
Pages: 69-72
110006862303
信学技報IEICE Technical Report 107
Pages: 19-24
Pages: 1-4
10019579987
応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌 vol.18, No.4
10019963134
Physical Review B 76
Pages: 45111-45111
応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌 18
Pages: 267-274
信学技報 IEICE Technical Report vol.107,No.412
http://www.eng.chiba-u.ac.jp/outProfile.tsv?no=1135