Formation and characterization of La2O3 gate dielectrics formed using by metalorganic CVD

• Project/Area Number: 19760219
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Electronic materials/Electric materials
• Research Institution: Hiroshima University
• Principal Investigator: MURAKAMI Hideki Hiroshima University, 大学院・先端物質科学研究科, 助教 (70314739)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥3,540,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥240,000); Fiscal Year 2008: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000); Fiscal Year 2007: ¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
• Keywords: 有機金属錯体 / ゲート絶縁膜 / 高誘電率絶縁膜 / ALCVD / 高誘電率ゲート絶縁膜 / MOCVD

Research Abstract

La(TMOD)3を用いて、Pt層上にLa酸化膜を堆積し、XPSを用いて化学構造を評価した。La(TMOD)3とO2を同時供給した場合(O2分圧:〜60Pa)、La酸化膜厚は、基板温度の上昇および堆積時間の増加に伴い、増大する。O2の同時供給を行わず基板温度200℃でLa酸化膜を堆積した場合、供給時間に依らず、La酸化膜厚は一定であり、前駆体の飽和吸着が確認された。また、飽和吸着後、150℃以上のO2アニールにより、La酸化膜表面を終端しているCOxHyおよび膜中残留炭素の除去に有効であることが分かった。La(TMOD)3による飽和吸着とO2アニールを交互に繰り返すことで、原子層レベルでの膜厚制御が可能であることが示唆された。

Research Products

• [Presentation] La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成 (2009)
  • Author(s): 要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
  • Organizer: 第14回ゲートスタック研究会
  • Place of Presentation: 東レ総合研修センター
• [Presentation] La(TMOD)_3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成 (2009)
  • Author(s): 要垣内亮, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
  • Organizer: 第14回ゲートスタック研究会
  • Place of Presentation: 東レ総合研修センター
• [Presentation] La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)3 (2008)
  • Author(s): R. Yougauchi, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
  • Organizer: The IUMRS International Conference in Asia 2008
  • Place of Presentation: Nagoya Congress Center
• [Presentation] La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成 (2008)
  • Author(s): 要垣内亮,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Presentation] La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)_3 (2008)
  • Author(s): R. Yougauchi, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
  • Organizer: The IUMRS International Conference in Asia 2008
  • Place of Presentation: Nagoya Congress Center
• [Presentation] La(TMOD)_3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成 (2008)
  • Author(s): 要垣内亮, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一
  • Organizer: 第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Presentation] The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3 (2007)
  • Author(s): R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki
  • Organizer: Fifth International Symposiumon Control of Semiconductor Interfaces
  • Place of Presentation: Tokyo Metropolitan University Minami-Osawa Campus
• [Presentation] La-DPM錯体を用いたMOCVDによるLa系酸化薄膜形成とNH3熱処理効果 (2007)
  • Author(s): 要垣内亮,大田晃生,宗高勇気,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一
  • Organizer: 第68回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 北海道工業大学
• [Presentation] The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3 (2007)
  • Author(s): R. Yougauchi, A. Ohta, Y. Munetaka, H. Myrajami, S. Higashi, S. Miyazaki
  • Organizer: Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-V)
  • Place of Presentation: Hachioji,
• [Remarks] ホームページ等
  • URL: http://home.hiroshima-u.ac.jp/semicon/