| Project/Area Number |
19760224
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
NAGATA Takahiro National Institute for Materials Science, 半導体材料センター, 研究員 (10421439)
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| Research Collaborator |
CHIKYOW Toyohiro 独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, センター長 (10354333)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,170,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | 電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) / ワイドバンドギャップ半導体 / 電子・電気材料 / 半導体物性 / ワイドバンドギャップ / センサー / 金属 / 半導体界面 |
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| Research Abstract |
酸化亜鉛(ZnO)などのワイドバンドギャップ半導体は、これまで光学応用が主であったが、近年、電子デバイス用の材料としても注目されており、電気特性制御、電極材料の最適化は重要な技術である。そこでZnOのショットキーダイオードを作成し、金属/酸化物界面における界面構造の変化と電気特性への影響を明らかにし、紫外光応答と共に、水素への応答を確認した。
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