Study of substrate bias effect on MOSFET variability
Project/Area Number |
19760230
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Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
AMAKAWA Shuhei Tokyo Institute of Technology, 統合研究院, 特任助教 (40431994)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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Budget Amount *help |
¥3,780,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
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Keywords | 高周波測定 / 電子デバイス・機器 / 半導体超微細化 |
Research Abstract |
高周波において基板バイアスがMOSFETの特性におよぼす影響を調べるための基礎技術として、4ポートのde-embedding技術の開発をおこなった。OPEN、SHORTなどのダミーパターンを利用した方法だと、誤差が大きいこと知られているので、THRUダミーパターンだけを使った4ポートデバイス用の方法を考案した。この方法をオンチップ差動伝送線路の評価に用いたところ、有効性を確認できた。
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Report
(3 results)
Research Products
(7 results)