| Project/Area Number |
19760231
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Kanazawa University (2008)
Tokyo Institute of Technology (2007) |
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Principal Investigator |
MARUYAMA Takeo Kanazawa University, 電子情報学系, 准教授 (60345379)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥3,380,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2008: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2007: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,600,000)
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| Keywords | 半導体レーザ / 集積レーザ / シリコンフォトニクス / 光集積回路 / 分布帰還形レーザ / ウエハボンディング / 光導波路 / SOI |
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| Research Abstract |
チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現した。
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