III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer

• Project/Area Number: 19860024
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Electron device/Electronic equipment
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: TAKENAKA Mitsuru The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)
• Project Period (FY): 2007 – 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥3,115,000 (Direct Cost: ¥2,710,000、Indirect Cost: ¥405,000); Fiscal Year 2008: ¥1,755,000 (Direct Cost: ¥1,350,000、Indirect Cost: ¥405,000); Fiscal Year 2007: ¥1,360,000 (Direct Cost: ¥1,360,000)
• Keywords: MOSFET / 化合物半導体 / InAlAs / InGaAs / InP / ウェット酸化 / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / III-V族半導体 / InAlAs酸化膜

Research Abstract

InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。

Research Products

• [Journal Article] Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed bywet thermal oxidation (2009)
  • Author(s): S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M.Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi
  • Journal Title: Japanese Journal ofApplied Physics (JJAP) vol.48, No.2
• [Journal Article] Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation (2009)
  • Author(s): S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics 48(掲載確定in press)
  • NAID: 210000066604
  • Peer Reviewed
• [Presentation] Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs (2009)
  • Author(s): S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa,M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S.Takagi
  • Organizer: International Conference on Solid StateDevices and Materials (SSDM'08)
  • Place of Presentation: G-9-4,Tsukuba
  • Year and Date: 2009-09-26
• [Presentation] Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs (2008)
  • Author(s): S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi
  • Organizer: International Conference on Solid State Devices and Materials
  • Place of Presentation: つくば
  • Year and Date: 2008-09-26
• [Presentation] InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成 (2008)
  • Author(s): 中川翔太, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充, 高木信一
  • Organizer: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 日本大学理工学部
  • Year and Date: 2008-03-29
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 (2008)
  • Inventor(s): 竹中充、高木信一、秦雅彦、市川磨
  • Industrial Property Rights Holder: 国立大学法人東京大学、住友化学株式会社
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体基板, 半導体基板の製造方法および半導体装置 (2008)
  • Inventor(s): 竹中充, 高木信一, 秦雅彦, 市川磨
  • Industrial Property Rights Holder: 東京大学, 住友化学株式会社
  • Filing Date: 2008-03-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 (2008)
  • Inventor(s): 竹甲充、高木信一、秦雅彦、市川磨
  • Industrial Property Rights Holder: 東京大学、住友化学株式会社
  • Filing Date: 2008-03-26