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III-V-OI MOS structure by using selective wet oxidation of InAlAs layer

Research Project

Project/Area Number 19860024
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Electron device/Electronic equipment
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

TAKENAKA Mitsuru  The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)

Project Period (FY) 2007 – 2008
Project Status Completed (Fiscal Year 2008)
Budget Amount *help
¥3,115,000 (Direct Cost: ¥2,710,000、Indirect Cost: ¥405,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,755,000 (Direct Cost: ¥1,350,000、Indirect Cost: ¥405,000)
Fiscal Year 2007: ¥1,360,000 (Direct Cost: ¥1,360,000)
KeywordsMOSFET / 化合物半導体 / InAlAs / InGaAs / InP / ウェット酸化 / 電子デバイス・機器 / 半導体物性 / III-V族半導体 / InAlAs酸化膜
Research Abstract

InAlAsのウェット酸化を利用したIII-V MOS 界面の研究を行った。XPS 分析、エリプソメトリー、TEM 像解析等により、InAlAs の酸化機構を明らかにし、良好な界面特性を持つInAlAs/InP MOS界面を実現することに成功した。またInP 酸化防止層を配した構造において、InAlAs 層の自然酸化を抑制することで、良好なMOS 界面が再現性良く得られることを明らかにした。これにより既存のSi トランジスタの性能を上回るIII-V トランジスタを実現するための基盤技術を確立した。

Report

(3 results)
  • 2008 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2007 Annual Research Report
  • Research Products

    (8 results)

All 2009 2008

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (3 results) Patent(Industrial Property Rights) (3 results)

  • [Journal Article] Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed bywet thermal oxidation2009

    • Author(s)
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M.Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S. Takagi
    • Journal Title

      Japanese Journal ofApplied Physics (JJAP) vol.48, No.2

    • Related Report
      2008 Final Research Report
  • [Journal Article] Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation2009

    • Author(s)
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics 48(掲載確定in press)

    • NAID

      210000066604

    • Related Report
      2008 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Fabrication of III-V MOS structureby using selective oxidation of InAlAs2009

    • Author(s)
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa,M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka, S.Takagi
    • Organizer
      International Conference on Solid StateDevices and Materials (SSDM'08)
    • Place of Presentation
      G-9-4,Tsukuba
    • Year and Date
      2009-09-26
    • Related Report
      2008 Final Research Report
  • [Presentation] Fabrication of III-V MOS structure by using selective oxidation of InAlAs2008

    • Author(s)
      S. Nakagawa, M. Yokoyama, O. Ichikawa, M. Hata, M. Tanaka, M. Takenaka. S. Takagi
    • Organizer
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • Place of Presentation
      つくば
    • Year and Date
      2008-09-26
    • Related Report
      2008 Annual Research Report
  • [Presentation] InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成2008

    • Author(s)
      中川翔太, 横山正史, 市川磨, 秦雅彦, 田中雅明, 竹中充, 高木信一
    • Organizer
      第55回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      日本大学理工学部
    • Year and Date
      2008-03-29
    • Related Report
      2008 Final Research Report 2007 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置2008

    • Inventor(s)
      竹中充、高木信一、秦雅彦、市川磨
    • Industrial Property Rights Holder
      国立大学法人東京大学、住友化学株式会社
    • Filing Date
      2008-03-26
    • Related Report
      2008 Final Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体基板, 半導体基板の製造方法および半導体装置2008

    • Inventor(s)
      竹中充, 高木信一, 秦雅彦, 市川磨
    • Industrial Property Rights Holder
      東京大学, 住友化学株式会社
    • Filing Date
      2008-03-26
    • Related Report
      2008 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置2008

    • Inventor(s)
      竹甲充、高木信一、秦雅彦、市川磨
    • Industrial Property Rights Holder
      東京大学、住友化学株式会社
    • Filing Date
      2008-03-26
    • Related Report
      2007 Annual Research Report

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Published: 2007-04-01   Modified: 2016-04-21  

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