| Project/Area Number |
19H02184
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究院, 准教授 (60519411)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
池辺 将之 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (20374613)
本久 順一 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (60212263)
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| Project Period (FY) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2019)
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| Budget Amount *help |
¥17,680,000 (Direct Cost: ¥13,600,000、Indirect Cost: ¥4,080,000)
Fiscal Year 2019: ¥10,790,000 (Direct Cost: ¥8,300,000、Indirect Cost: ¥2,490,000)
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| Keywords | 薄膜・量子構造 / ナノワイヤ / トンネルFET |
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| Outline of Research at the Start |
本研究は、ナノワイヤ結晶成長で形成されるSi/III-V異種接合を応用することで、低消費電力性能と高性能化を両立した縦型トンネルFETからなる立体集積回路の基盤技術を確立する。具体的には、高品質ナノワイヤチャネルとSi/III-V異種接合を形成することで、Siグリッド細線上に、極低電圧でスイッチングする縦型トンネルFETアレイを集積し結晶成長技術で高性能化を図る。さらに、配線配置の組み合わせで相補型スイッチング動作を実証し、縦型ナノワイヤTFETからなる立体集積回路の基本構成を作製し、回路動作を実証することで、超低消費電力・高効率次世代集積回路の基礎を築く。
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