| Project/Area Number |
19H02590
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
保井 晃 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 分光推進室, 主幹研究員 (40455291)
小嗣 真人 東京理科大学, 先進工学部マテリアル創成工学科, 教授 (60397990)
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| Project Period (FY) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2021)
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| Budget Amount *help |
¥17,940,000 (Direct Cost: ¥13,800,000、Indirect Cost: ¥4,140,000)
Fiscal Year 2021: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Fiscal Year 2020: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
Fiscal Year 2019: ¥12,090,000 (Direct Cost: ¥9,300,000、Indirect Cost: ¥2,790,000)
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| Keywords | 二次元電子 / トランジスタ / オペランド / X線分光 / 時空間 / 時空間X線分光 / デバイス / Society 5.0 / 顕微 |
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| Outline of Research at the Start |
二次元電子系材料を用いた素子(2D-FET)の特性の実測値は、理論値を下回る。本研究では、、o-SXSに時間分解能を賦与した時空間オペランドX線分光(o-STXS)を開発し、2D-FETの電子状態の時空間変化を観測する。2D-FETのどの界面が、どの時間ドメインでキャリア輸送特性に影響するのかを解明し、2D-FETの素子特性を理論限界まで押し上げるための知見を得ることを目指す。
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| Outline of Final Research Achievements |
We developed a spatiotemporal x-ray spectroscopy, and observed surface electronic states of FETs using 2D electrons as channels. We also started a study on InGaAs-HEMT, for instance, the effect of surface treatment high-frequency characteristics. We demonstrated that this spectromicroscopy is applicable to 2D-FET, the next-generation high-frequency devices, graphene transistors,
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
本研究において、従来の巨視的な電気計測法や分光法では得られない、「外場印加により誘起されるデバイス物性の時空間ダイナミクス」が時空間オペランドX線分光により得られた。このような成果は、Society 5.0の基盤インフラになるBeyond 5Gの中核を成すGaN高電子移動度トランジスタやグラフェン・トランジスタなどの超高周波デバイスの更なる性能向上に資するものとなる。よって、本研究の成果は、2030年代以降に到来するSociety 5.0の実現に貢献するものになると言える。
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