光照射したチオシリケート発光材料におけるEu発光中心の局所状態観察

Research Project

Project/Area Number	19K05492
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 34010:Inorganic/coordination chemistry-related
Research Institution	The University of Electro-Communications
Principal Investigator	小林義男電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (30221245)
Project Period (FY)	2019-04-01 – 2022-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2019)
Budget Amount *help	¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000) Fiscal Year 2021: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2020: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2019: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords	チオシリケート / ユーロピウム / メスバウアー分光 / 内部転換電子 / 光照射
Outline of Research at the Start	不完全4f電子殻を有するEuやDy, Er, Ybなどの希土類元素をドープした蛍光体材料は、様々な光源および液晶ディスプレイに利用されている。Euをドープしたチオシリケート(BaSi2S5 : Eu、Ba2SiS4 : Eu)は、高い発光効率の可視光ルミネッセンスを示し、Siを含むのでシリコンフォトニクス材料としても注目されている。本研究では、Eu含有チオシリケートの光照射下におけるEu原子の励起状態と準安定状態における電子配置及びその生成メカニズムを内部転換電子メスバウアー分光と放射光メスバウアー分光を応用して解明する。