| Project/Area Number |
20042012
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
NAGAHAMA Taro National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (20357651)
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| Project Period (FY) |
2008
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2008)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | スピントロニクス / TMR / MgO / ホットエレクトロン / 強磁性トンネルトランジスタ / トンネル磁気抵抗効果 / コヒーレントトンネリング |
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| Research Abstract |
優れたコヒーレントトンネリング特性と示すMgO バリアをエミッタに用いたMgO-強磁性トンネルトランジスタ(MgO-MTT)を作製し、その伝導特性を調べた。ベース層の薄膜化、コレクタ材料の最適化により伝導特性は大きく向上することが分かった。また、その特性は界面共鳴状態の影響を受けており、界面の電子状態を調べる新しいツールとしても活用可能であることが分かった。
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