Project/Area Number |
20226014
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Research Field |
Structural/Functional materials
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Research Institution | Ibaraki University |
Principal Investigator |
ONUKI Jin (OONUKI Jin) 茨城大学, 工学部, 教授 (70315612)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
MIMURA Koji 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (00091752)
ISHIKAWA Nobuhiro 独立行政法人物質・材料研究機構, 主任研究員 (00370312)
KONDO Kazuo 大阪府立大学, 工学研究科, 教授 (50250478)
INAMI Takashi 茨城大学, 工学部, 講師 (20091853)
CHONAN Yasunori 秋田県立大学, システム科学技術学部, 助教 (30363740)
ITO Shinji 独立行政法人物質・材料研究機構, 主任研究員 (50370317)
UCHIKOSHI Masahito 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (60447191)
OHTA Hiromichi 茨城大学, 工学部, 教授 (70168946)
NAGANO Takatoshi 茨城大学, 工学部, 講師 (70343621)
KIMURA Takashi 独立行政法人物質・材料研究機構, 主任研究員 (70370319)
SASAJIMA Yasushi 茨城大学, 工学部, 教授 (80187137)
AOYAMA Takashi 秋田県立大学, システム科学技術学部, 教授 (80363737)
TASHIRO Suguru 茨城大学, 工学部, 講師 (90272111)
一色 実 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (20111247)
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Project Period (FY) |
2008 – 2012
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2012)
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Budget Amount *help |
¥209,690,000 (Direct Cost: ¥161,300,000、Indirect Cost: ¥48,390,000)
Fiscal Year 2012: ¥34,190,000 (Direct Cost: ¥26,300,000、Indirect Cost: ¥7,890,000)
Fiscal Year 2011: ¥37,700,000 (Direct Cost: ¥29,000,000、Indirect Cost: ¥8,700,000)
Fiscal Year 2010: ¥29,640,000 (Direct Cost: ¥22,800,000、Indirect Cost: ¥6,840,000)
Fiscal Year 2009: ¥29,380,000 (Direct Cost: ¥22,600,000、Indirect Cost: ¥6,780,000)
Fiscal Year 2008: ¥78,780,000 (Direct Cost: ¥60,600,000、Indirect Cost: ¥18,180,000)
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Keywords | 電子 / 情報材料 / LSI / Cu配線 / 超高純度硫酸銅 / 抵抗率 / 粒界不純物 / 収差補正TEM / 添加剤フリーめっき / Ru膜 / クレヴァス / 収差補正STEM / Cu 配線 / 添加剤フリー / 超高純度めっき材 / 革新的高導電性 / 分子動力学シミュレーション / TEG / Cuの高純度化 / 微量不純物 / 微細構造 / ULSI / 超高純度めっき材料 / 添加剤フリーめつき技術 / 配線抵抗率 / パルスめっき技術 / 配線評価用TEG |
Research Abstract |
Grain sizes and their distribution in very narrow Cu wires (≦50nm) have a crucial influence on device performances and reliabilities of LSIs. This is because the average grain size in Cu wires becomes smaller for narrower wires and especially. Very fine grains causes substantial resistivity increase and reliability degradation of Cu wires. In order to reduce resistivity and raise reliability, with the final goal being to enhance LSI performance, we have investigated the purification process of Cu wires using high-purity plating materials and little additives and gotten Cu wires with more than 30% lower resistivity than those made with conventional purity plating materials.
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Assessment Rating |
Verification Result (Rating)
A
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