| Project/Area Number |
20246007
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | National Institute for Materials Science |
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Principal Investigator |
OHASHI Naoki National Institute for Materials Science, 光材料センター, センター長 (60251617)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SAKAGUCHI Isao 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (20343866)
WADA Yoshiki 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (90343847)
HANEDA Hajime 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, センター長 (70354420)
ADACHI Yutaka 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, 主幹研究員 (30354418)
ISHIGAKI Takamasa 法政大学, 生命科学部, 教授 (40343842)
OGAKI Takeshi 独立行政法人物質・材料研究機構, センサ材料センター, 研究員 (80408731)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
YOSHIKAWA Hideki 独立行政法人物質・材料研究機構, 共用ビームステーション, 主幹研究員 (20354409)
UEDA Shigenori 独立行政法人物質・材料研究機構, 共用ビームステーション, 研究員 (20360505)
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| Project Period (FY) |
2008 – 2010
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2010)
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| Budget Amount *help |
¥49,400,000 (Direct Cost: ¥38,000,000、Indirect Cost: ¥11,400,000)
Fiscal Year 2010: ¥9,750,000 (Direct Cost: ¥7,500,000、Indirect Cost: ¥2,250,000)
Fiscal Year 2009: ¥9,750,000 (Direct Cost: ¥7,500,000、Indirect Cost: ¥2,250,000)
Fiscal Year 2008: ¥29,900,000 (Direct Cost: ¥23,000,000、Indirect Cost: ¥6,900,000)
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| Keywords | 酸化亜鉛 / ウエファー / 精密研磨 / 圧電特性 / エピタキシャル成長 / 単結晶ウエファー / 表面欠陥 / 研磨 / イオン注入 / 固相拡散 / 半導体ウエファー / 欠陥構造 / 表面構造 |
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| Research Abstract |
Surface planarization process was optimized for device application of (Zn, Mg)O alloy wafers and physical properties of the wafers were evaluated for realistic designing of (Zn, Mg)O based devices.
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