| Project/Area Number |
20360160
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
青木 秀充 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10419468)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木村 千春 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (90372630)
杉野 隆 大阪大学, 工学研究科, 教授 (90206417)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2008 – 2010
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2010)
|
| Budget Amount *help |
¥18,200,000 (Direct Cost: ¥14,000,000、Indirect Cost: ¥4,200,000)
Fiscal Year 2010: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Fiscal Year 2009: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2008: ¥12,090,000 (Direct Cost: ¥9,300,000、Indirect Cost: ¥2,790,000)
|
|---|
| Keywords | メチル窒化ホウ素 / 低誘電率(Low-k) / LSI配線 / ドライエッチング / BCN / メチルBN / LowK / 配線 / 低誘電率 / 窒化ホウ素 / LSI |
|---|
| Research Abstract |
これまでの成果として、窒化ホウ素(BN)薄膜にカーボン(C)を添加することによる窒化ホウ素炭素(BCN)薄膜において誘電率が低減することを示し、次世代LSI配線の層間絶縁膜として有効であることを示してきた。今回作製した「メチルBN薄膜」とは、BNを母体にメチル基(-CH3)が付いた薄膜のことである。また、メチルBN薄膜はこれまでに我々が作製してきたのBCN薄膜とは少し違い、カーボンの結合手に水素を付加しているため微小なナノスペース確保しており、誘電率(k<2)を下げる効果がある薄膜のことをいう。
メチルBN薄膜をLSI配線における層間絶縁膜に用いるためには、熱特性やレジストアッシング時の耐酸素性が必要である。さらには加工が容易であることが不可欠である。今回、トリスジメチルアミノボロン(TMAB)ガスを原料にしてプラズマアシストCVD法によってメチルBN薄膜を作製した。メチルBN薄膜をドライエッチングによって加工し、熱処理前後の電気的特性の変化を評価した。また、メチルBN薄膜はCF系ガスによって加工が可能であることを見出した。従来に用いられている層間絶縁膜(SiOC系薄膜)とメチルBN薄膜との比較を行い、メチルBN薄膜の優位性を示した。また、LSIプロセスにおいては化学的機械研磨(CMP)用薬液を用いたウエットプロセスについて評価を行い、メチルBN薄膜が耐薬品性にも優れることを示し、メチルBN薄膜が次世代LSI配線プロセスに応用が期待できることを示した。
|
Report
(3 results)
Research Products
(42 results)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] Synthesis of Methyl Boron Nitride Film as Low-K InsulatingFilm for LSI Interconnection.2008
Author(s)
H. Aoki, S. Tokuyama, T. Masuzumi, M. K. Mazumder, D. Watanabe, M. Hara, C. Kimura, T. Sugino
Organizer
19th European Conference on Diamond, Diamond-LikeMaterials, Carbon Nanotubes, and Nitrides
Place of Presentation
Sitges, Spain
Related Report
-
-
-
[Presentation] Properties of Boron Carbon Nitride(BCN)mm after plasma ashing.2008
Author(s)
M. K. Mazumder, H. Aoki, T. Masuzumi, M. Hara, N. Ooi, D. Watanabe, C. Kimura, M. Fukagawa, M. Umeda, M. Kusuhara, T. Sugino.
Organizer
New Diamond and Nano Carbons(NDNC2008)
Place of Presentation
Taipei, Taiwan
Related Report
-
-
-
-
-
-
-
-
