特異的準安定ナノ構造セラミックスの電子輸送特性に関する研究

• Project/Area Number: 20360296
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Inorganic materials/Physical properties
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 藤本 正之 National Institute for Materials Science, 光材料センター, NIMS特別研究員 (60372520)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 羽田 肇 独立行政法人物質・材料研究機構, センサー材料センター, センター長 (70354420) ; 大橋 直樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 光材料センター, センター長 (60251617)
• Project Period (FY): 2008
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2008)
• Budget Amount: ¥10,140,000 (Direct Cost: ¥7,800,000、Indirect Cost: ¥2,340,000); Fiscal Year 2008: ¥10,140,000 (Direct Cost: ¥7,800,000、Indirect Cost: ¥2,340,000)
• Keywords: 抵抗変化型不揮発メモリー / フィラメントパス / ナノドメインスイッチ / 準安定ナノ結晶

Research Abstract

本研究では抵抗変化型不揮発性メモリーのビット材料として研究されている酸化物セラミックス電子材料の数桁にもおよぶ高速の抵抗変化現象を電子輸送特性と特異的な準安定ナノ結晶の構造変化に着目して、従来仮定の域を出ていない通称「フィラメントパス」と「ナノドメインスイッチ」が如何なるものなのかを明らかにすることを目的とした。特に、今まで研究代表者の研究では、所有設備との関係から各種電子物性の温度依存性を測定していなかった。しかし、所属機関が変わったことから、温度依存性測定を行うことが可能となるため、本年度は、活性化エネルギーなどを電子物性の温度依存性を調べることで動作原理のより本質的な部分へとアプローチすることを計画した。こうした研究目的に基づき、実験の準備を進めた。