Application of semiconductor quantum dots with organic thin film on silicon substrates to high conversion-efficiency solar cells

• Project/Area Number: 20560291
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Electronic materials/Electric materials
• Research Institution: The University of Electro-Communications
• Principal Investigator: YAMAGUCHI Koichi The University of Electro-Communications, 大学院・情報理工学研究科, 教授 (40191225)
• Project Period (FY): 2008 – 2010
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2010)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2010: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2009: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2008: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
• Keywords: 量子ドット / 太陽電池 / 分子線エピタキシー / InAs / GaAs / Ge / Sb / 量子ドッド / Si

Research Abstract

InAs/GaAs quantum dots (QDs) were fabricated on Ge(001) substrates by molecular beam epitaxy. High-density InAs QDs with 7×1010 cm-2 were successfully obtained by using Sb-containing GaAs buffer layers. Optical absorption of long wavelength light in the InAs QD layers provided additional photocurrent. Organic thin-films on the InAs QD layers played a role for surface passivation. These results are expected for development of solar cells with high conversion efficiency in future.

Research Products

• [Journal Article] Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption (2010)
  • Author(s): N.Kakuda, T.Kaizu, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
  • Journal Title: Jpn.J.Appl.Phys. 49 Pages: 0956021-4
  • NAID: 40017294740
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb /GaAs (001) for Solar Cell Applications (2010)
  • Author(s): T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
  • Journal Title: 35^<th> IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) Pages: 1885-8
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Time-Resolved X-ray Diffraction Measurements of High-Density InAs Quantum-Dots on Sb/GaAs Layers and the Suppression of Coalescence by Sb-Irradiated Growth Interruption (2010)
  • Author(s): N.Kakuda, T.Kaizu, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
  • Journal Title: Jpn.J.Appl.Phys Volume: 49
  • NAID: 40017294740
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Stacking growth of in-plane InAs quantum-dot superlattices on GaAsSb/GaAs(001) for solar cell applications (2010)
  • Author(s): T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
  • Journal Title: 2010 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC) Pages: 1885-8
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE (2008)
  • Author(s): N.Kakuda, T.Yoshida,K.Yamaguchi
  • Journal Title: Appl.Surf.Sci. 254 Pages: 8050-8053
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Uniform formation of high-density InAs quantum dots by InGaAs capping growth (2008)
  • Author(s): S.Tonomura, K.Yamaguchi
  • Journal Title: J.Appl.Phys. 104
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Sb-mediated growth of high-density InAs quantum dots and GaAsSb embedding growth by MBE (2008)
  • Author(s): N. Kakuda, T. Yoshida, K. Yamaguchi
  • Journal Title: Applied Surface Science 254 Pages: 8050-8053
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Uniform formation of high-density InAs quantum dots by In GaAs capping growth (2008)
  • Author(s): S. Tonomura, K. Yamaguchi
  • Journal Title: Journal of Applied Physics 104
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] In situ determination of Sb distribution in Sb/GaAs(00l)layer for high-density InAs quantum dot growth (2008)
  • Author(s): T. Kaizu, M. Takahasi, K. Yamaguchi, J. Mizuki
  • Journal Title: Journal of Crystal Growth 310 Pages: 3436-3439
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Generation of highly circularly polarized light from uniform InAs/GaAs quantum dots (2008)
  • Author(s): K. Kusunoki, N. Tsukiji, T. Umi, A. Tackeuchi, K. Yamaguchi
  • Journal Title: Physica Status Solidi (C) 5 Pages: 378-381
  • Peer Reviewed
• [Presentation] 面内超高密度InAs最子ドットの太陽電池への応用 (2011)
  • Author(s): 藤田浩輝, 山本和輝, 江口陽亮, 山口浩一
  • Organizer: 2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] GaAsSbバッファ層上のInAs騒子ドット成長における面内超高密度化 (2011)
  • Author(s): 船原一祥, 太田潤, 山口浩一
  • Organizer: 2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] 面内超高密度InAs.量子ドット構造におけるキャリアの空間分離とその長寿命化 (2011)
  • Author(s): 太田潤, 山口浩一
  • Organizer: 2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] InAs/GaAs量子ドットの自己形成過程におけるGa導入効果 (2011)
  • Author(s): サブトラエデス, 山口浩一
  • Organizer: 2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会予稿集
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化 (2010)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 第6回量子ナノ材料セミナー
  • Place of Presentation: 物質材料研究機構(招待講演)
  • Year and Date: 2010-10-10
• [Presentation] 量子ドット型太陽電池へ向けた量子ドットの面内超高密度化と長キャリア寿命化 (2010)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 第6回量子ナノ材料セミナー
  • Place of Presentation: (招待講演)物質材料研究機構
  • Year and Date: 2010-10-01
• [Presentation] 量子ドット超格子構造太陽電池の研究開発(量子ドットの高均一・高密度化技術) (2010)
  • Author(s): 太田潤, 山口浩一
  • Organizer: NEDO新エネルギー技術開発成果報告会2010, PV1-01-05
  • Place of Presentation: 東京国際フォーラム
  • Year and Date: 2010-07-27
• [Presentation] 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均一成長 (2010)
  • Author(s): 山口浩一, 角田直輝, 築地伸和, 関口修司, 太田潤, 海津利行, 高橋正光
  • Organizer: 応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会
  • Place of Presentation: (招待講演)学習院大学
  • Year and Date: 2010-04-23
• [Presentation] 光デバイス応用に向けたInAs量子ドットの高密度・高均-成長 (2010)
  • Author(s): 山口浩一, 角田直輝, 築地伸和, 関口修司, 太田潤, 海津利行, 高橋正光
  • Organizer: 応用物理学会結晶工学分科会第132回研究会
  • Place of Presentation: 学習院大学(招待講演)
  • Year and Date: 2010-04-23
• [Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates (2010)
  • Author(s): K.Hirano, T.Seo, K.Minagawa, K.Yamaguchi
  • Organizer: 16th International Conference on Crystal Growth
  • Place of Presentation: Beijing.
• [Presentation] (Invited) Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands (2010)
  • Author(s): K.Yamaguchi, N.Tsukiji, S.Sekiguchi, T.Seo, J.Ohta T.Inaji
  • Organizer: The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells
  • Place of Presentation: Chofu.
• [Presentation] Stacking Growth of In-Plane InAs Quantum-Dot Superlattices on GaAsSb/GaAs (001) for Solar Cell Applications (2010)
  • Author(s): T.Inaji, J.Ohta, K.Yamaguchi
  • Organizer: 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
  • Place of Presentation: Honolulu
• [Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates (2010)
  • Author(s): K.Hirano, T.Seo, K.Minagawa, K.Yamaguchi
  • Organizer: 16th International Conference on Crystal Growth
  • Place of Presentation: Beijing
• [Presentation] Sb-Mediated Self-Formation of Ultra-High Density InAs Quantum-Dotson GaAs(001) (2010)
  • Author(s): J.Ohta, K.Sakamoto, K.Yamaguchi
  • Organizer: 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
  • Place of Presentation: Berlin
• [Presentation] Self-Formation of In-Plane InAs QD Superlattices with Long Carrier Lifetime (2010)
  • Author(s): J.Ohta, H.Fujita, K.Yamaguchi
  • Organizer: The 3rd International Symposium on InnovativeSolar Cells
  • Place of Presentation: Tokyo
• [Presentation] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定(3) (2010)
  • Author(s): 山本和輝, 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司, 山口浩一
  • Organizer: 2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
  • Place of Presentation: 長崎大学
• [Presentation] 面内超高密度InAs最子ドットの自己形成とそのキャリア寿命時間測定 (2010)
  • Author(s): 太田潤, 山口浩一
  • Organizer: 2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
  • Place of Presentation: 長崎大学
• [Presentation] 自己形成InAs墨子ドットの高密度・高均一化 (2010)
  • Author(s): 金丸豊, 角田直輝, 山口浩一
  • Organizer: 2010年(平成22年)秋季第71回応用物理学会学術講演会予稿集
  • Place of Presentation: 畏崎大学
• [Presentation] (Invited) Self-Formation Control of GaAs/InAs Quantum Dots for Solar Cells with Intermediate Bands (2010)
  • Author(s): K.Yamaguchi, N.Tsukiji, S.Sekiguchi, T.Seo, J.Ohta, T.Inaji
  • Organizer: The Japan-China Workshop on Sensitized Solar Cells
  • Place of Presentation: Chofu
• [Presentation] ナノフォトニクズ半導体量子ドットの自己形成制御 (2010)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会シンポジウム講演「ナノフォトニクスを支えるナノ加工」
  • Place of Presentation: 東海大学
• [Presentation] InAs量子ドット面内超格子構造の積層成長 (2010)
  • Author(s): 稲次敏彦, 関口修司, 太田潤, 山口浩一
  • Organizer: 2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
• [Presentation] InAs量子ドット面内超格子構造の自己形成 (2010)
  • Author(s): 太田潤, 角田直輝, 山口浩一
  • Organizer: 2010年 (平成22年) 春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
• [Presentation] 太陽電池用高密度InAs量子ドットのGe基板上への成長 (2009)
  • Author(s): 瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
  • Place of Presentation: 東京農工大学
  • Year and Date: 2009-12-05
• [Presentation] 高密度InAs量子ドットの時間分解X線回折測定とSb照射成長中断法による高品質化 (2009)
  • Author(s): 角田直輝, 山口浩一, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
  • Place of Presentation: 東京農工大学
  • Year and Date: 2009-12-05
• [Presentation] 半導体量子ドットの自己形成制御 (2009)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム
  • Place of Presentation: 東京農工大学
  • Year and Date: 2009-12-05
• [Presentation] 自己形成量子ドットの精密制御法の展開 (2009)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 第21回ナノフォトニックスセミナー
  • Place of Presentation: (招待講演)東京大学
  • Year and Date: 2009-10-22
• [Presentation] 自己形成量子ドットの精密制御法の展開 (2009)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 第21回ナノフォトニックスセミナー
  • Place of Presentation: 東京大学
  • Year and Date: 2009-10-22
• [Presentation] Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御-均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか- (2009)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 第5回量子ナノ材料セミナー
  • Place of Presentation: (招待講演)埼玉大学
  • Year and Date: 2009-07-29
• [Presentation] Sb導入InAs/GaAs系量子ドットの自己形成制御-均一性、サイズ、密度はどこまで制御できるか- (2009)
  • Author(s): 山口浩一
  • Organizer: 第5回量子ナノ材料セミナー
  • Place of Presentation: 埼玉大学
  • Year and Date: 2009-07-29
• [Presentation] InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定 (2009)
  • Author(s): 山口浩一, 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司
  • Organizer: 文部科学省ナノテクノロジー・ネットワーク/重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会「ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2008
  • Place of Presentation: つくば
  • Year and Date: 2009-05-08
• [Presentation] Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications (2009)
  • Author(s): N.Kakuda, S.Sekiguchi, T.Seo, K.Yamaguchi
  • Organizer: The 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells
  • Place of Presentation: Tsukuba.
• [Presentation] Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots (2009)
  • Author(s): K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, Y.Kanemaru
  • Organizer: The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009)
  • Place of Presentation: (Invited) Anan.
• [Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates (2009)
  • Author(s): 瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
  • Organizer: The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano-2009)
  • Place of Presentation: Anan.
• [Presentation] Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長 (2009)
  • Author(s): 瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
  • Organizer: 2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 筑波大学
• [Presentation] Uniform formation of high-density InAs quanutum dots by using nanoholes (2009)
  • Author(s): K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, K.Yamamoto, Y.Kanemaru
  • Organizer: International Symposium on Innovative Solar Cells 2009.
  • Place of Presentation: Tokyo.
• [Presentation] Real-time X-ray diffraction measurements during Sb-mediated SK growth and annealing of InAs quantum dots (2009)
  • Author(s): T.Kaizu, N.Kakuda, M.Takahasi, S.Fujikawa, K.Yamaguchi
  • Organizer: The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-14)
  • Place of Presentation: Kobe
• [Presentation] MBE Growth of InAs/GaAs Quantum Dots on Ge(001) Substrates (2009)
  • Author(s): T.Seo, K.Hirano, K.Yamaguchi
  • Organizer: 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon Nano-2009)
  • Place of Presentation: Anan
• [Presentation] (Invited) Density Control of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots (2009)
  • Author(s): K.Yamaguchi, N.Kakuda, S.Sekiguchi, Y.Kanemaru
  • Organizer: The 2nd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Semicon Nano-2009)
  • Place of Presentation: Anan
• [Presentation] Fabrication of High-density and High-uniformity InAs Quantum Dots on GaAs(001) and Ge(001) Substrates for Solar Cell Applications (2009)
  • Author(s): N.Kakuda, S.Sekiguchi, T.Seo, K.Yamaguchi
  • Organizer: The 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells
  • Place of Presentation: Tsukuba
• [Presentation] 自己形成GaAsナノホールを用いた近接積層InAs量子ドットの発光特性 (2009)
  • Author(s): 築地伸和, 山口浩一
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物珪学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
• [Presentation] InAs量子ドット上の自己形成GaAsナノホールのモンテカルロシミュレーション (2009)
  • Author(s): 関口修司, 山口浩一
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
• [Presentation] 積層InAs量子ドットの熱処理効果 (2009)
  • Author(s): 廣瀬真幸, 山口浩一
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
• [Presentation] Ge (001) 基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長 (2) (2009)
  • Author(s): 瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
• [Presentation] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定 (2) (2009)
  • Author(s): 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 藤川誠司, 山口浩一
  • Organizer: 2009年 (平成21年) 秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
• [Presentation] Uniform formation of high-density InAs quanutum dots by using nanoholes (2009)
  • Author(s): K. Yamaguchi, N. Kakuda, S. Sekiguchi, K. Yamamoto, Y. Kanemaru
  • Organizer: International Symposium on Innovative Solar Cells 2009
  • Place of Presentation: Tokyo
• [Presentation] 自己形成InAs量子ドットの成長中断におけるAs-Sb照射交換の影響 (2009)
  • Author(s): 山本和輝, 山口浩一
  • Organizer: 平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 筑波大学
• [Presentation] 高密度InAs量子ドットのcoarsening過程 (2009)
  • Author(s): 金丸豊, 角田直輝, 山口浩一
  • Organizer: 平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 筑波大学
• [Presentation] 断続供給法による低密度InAs量子ドットの自己形成制御 (2009)
  • Author(s): パッチャカパットポンラチェット, 関口修司, 山口浩一
  • Organizer: 平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 筑波大学
• [Presentation] Ge(001)基板上へのInAs/GaAs系量子ドットのMBE成長 (2009)
  • Author(s): 瀬尾崇志, 平野和浩, 山口浩一
  • Organizer: 平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 筑波大学
• [Presentation] 高密度InAs量子ドットのSb照射成長中断における時間分解X線回折測定 (2009)
  • Author(s): 角田直輝, 海津利行, 高橋正光, 山口浩一
  • Organizer: 平成21年春季第56回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 筑波大学
• [Presentation] InAs量子ドットのSb導入MBE成長過程における時間分解X線回折測定 (2008)
  • Author(s): 山口浩一, 高橋正光, 海津利行, 角田直輝, 水木純一郎
  • Organizer: 文部科学省ナノテクノロジー総合支援プロジェクト平成19年度放射光グループ研究成果報告会
  • Place of Presentation: 大阪
  • Year and Date: 2008-05-07
• [Presentation] Annealing properties of InAs quantum dots grown on GaAsSb/GaAs buffer layers (2008)
  • Author(s): M. Hirose, Jiaying Hu, K. Yamaguchi
  • Organizer: The 2nd IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC 2008)
  • Place of Presentation: Kyoto
• [Presentation] Narrow photoluminescence spectra of closely stacked InAs quantum dots with high dot density on GaSb/GaAs(00l) (2008)
  • Author(s): S. Sekiguchi, N. Tsukiji, K. Yamaguchi
  • Organizer: The 5th International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD-2008)
  • Place of Presentation: Gyeongju
• [Presentation] 自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善 (2008)
  • Author(s): 関口修司, 山口浩一
  • Organizer: 平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Presentation] Sb照射InAs量子ドット上のGaAs薄膜成長 (2008)
  • Author(s): 村脇史敏, 山口浩一
  • Organizer: 平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Presentation] GaAsSb/GaAs層上高密度InAs量子ドットのcoarsening過程 (2008)
  • Author(s): 角田直輝, 山口浩一
  • Organizer: 平成20年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 中部大学
• [Book] 量子ドットエレクトロニクスの最前線 (2011)
  • Author(s): 山口浩一共著
  • Publisher: エヌ・ティー・エス
• [Book] Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics (Chapter 8) (2008)
  • Author(s): K. Yamaguchi, S. Tsukamoto, K. Matsuda
  • Total Pages: 22
  • Publisher: Elsevier Inc
• [Book] Handbook of Self-Assembled Semiconductor Nanostructures for Novel Devices in Photonics and Electronics, Chapter 8
  • Author(s): K.Yamaguchi, S.Tsukamoto, K.Matsuda
  • Total Pages: 22
  • Publisher: Elsevier Inc
• [Remarks] ホームページ等
  • URL: http://www.crystal.ee.uec.ac.jp/
• [Remarks]
  • URL: http://www.crystal.ee.uec.ac.jp/top.html
• [Patent(Industrial Property Rights)] 量子半導体装置およびその製造方法 (2010)
  • Inventor(s): 山口浩一
  • Industrial Property Rights Holder: 国立大学法人電気通信大学
  • Acquisition Date: 2010-04-30