Research of dislocation-free silicon-carbide growth

• Project/Area Number: 20560301
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Electronic materials/Electric materials
• Research Institution: Nara Institute of Science and Technology
• Principal Investigator: HATAYAMA Tomoaki Nara Institute of Science and Technology, 物質創成科学研究科, 助教 (90304162)
• Project Period (FY): 2008 – 2010
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2010)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2010: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2009: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2008: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
• Keywords: 炭化ケイ素 / エッチング / 転位 / シリコンカーバイド / 半導体 / 炭化珪素

Research Abstract

A surface modification and lateral growth were applied to reduce the dislocation in the SiC grown layers. When a SiC layer was grown on the surface modified substrate, the basal plane dislocations were converted to the threading dislocations. The dislocation density in SiC could be reduced at the lateral growth area.

Research Products

• [Journal Article] Control of inclined sidewall angles of 4H-SiC mesa and trench structures (2011)
  • Author(s): H.Koketsu, T.Hatayama, 他3名
  • Journal Title: Mat.Sci.Forum 679巻 Pages: 485-488
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Control of inclined sidewall angles of 4H-SiC mesa and trench structures (2011)
  • Author(s): H.Koketsu, T.Hatayama
  • Journal Title: Materials Science Forum Volume: 679 Pages: 485-488
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system (2010)
  • Author(s): T.Hatayama, 他3名
  • Journal Title: Mat.Sci.Forum 645巻 Pages: 771-774
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system (2010)
  • Author(s): T.Hatayama
  • Journal Title: Materials Science Forum 645(in press) Pages: 771-774
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Self-formation of specific pyramidal planes in 4H-SiC formed by chlorine based ambience (2010)
  • Author(s): H.Koketsu, T.Hatayama
  • Journal Title: Materials Science Forum 645(in press) Pages: 775-777
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Thermal Etching of 4H-SiC(0001) Si Faces in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen (2009)
  • Author(s): T.Hatayama, T.Shimizu, 他4名
  • Journal Title: Jpn.J.Appl.Phys. 48巻
  • NAID: 40016627223
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Anisotropic etching of SiC in the mixed gas of chlorine and oxygen (2009)
  • Author(s): T.Hatayama, 他3名
  • Journal Title: Mat.Sci.Forum 600巻 Pages: 659-662
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Thermal Etching of 4H-SiC(0001) Si Faces in the Mixed Gas of Chlorine and Oxygen (2009)
  • Author(s): T.Hatayama
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • NAID: 40016627223
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Anisotropic etching of SiC in the mixed gas of chlorine and oxygen (2009)
  • Author(s): T. Hatayama
  • Journal Title: Materials Science Forum 600-603 Pages: 659-662
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Thermal Etching of 4H-SiC(0001) Si Faces in the Mixed G as of Chlorine and Oxygen (2009)
  • Author(s): T. Hatayama
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Phys ics in press
  • Peer Reviewed
• [Presentation] 塩素ガス熱エッチングにおける結晶面異方性を活用したSiCトレンチ底部の形状制御 (2011)
  • Author(s): 纐纈英典, 畑山智亮, 他3名
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
  • Year and Date: 2011-03-24
• [Presentation] SiCにおけるエッチピット形状オフ角度およびポリタイプ依存性 (2010)
  • Author(s): 畑山智亮, 纐纈英典, 矢野裕司, 冬木隆
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • Place of Presentation: 茨城県
  • Year and Date: 2010-10-21
• [Presentation] 熱エッチングによるマイクロメータサイズのSiC円錐状構造の自己形成 (2010)
  • Author(s): 網嶋健人, 畑山智亮, 他3名
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • Place of Presentation: 茨城県
  • Year and Date: 2010-10-21
• [Presentation] 塩素ガス熱エッチングによる4H-SiCサブトレンチの解消 (2010)
  • Author(s): 纐纈英典, 畑山智亮, 他3名
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • Place of Presentation: 茨城県
  • Year and Date: 2010-10-21
• [Presentation] SiCにおけるエッチピット形状オフ角度およびポリタイプ依存性 (2010)
  • Author(s): 畑山
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場
  • Year and Date: 2010-10-21
• [Presentation] 熱エッチングによるマイクロメータサイズのSiC円錐状構造の自己形成 (2010)
  • Author(s): 網嶋、畑山
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場
  • Year and Date: 2010-10-21
• [Presentation] 塩素ガス熱エッチングによる4H-SiCサブトレンチの解消 (2010)
  • Author(s): 纐纈、畑山
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場
  • Year and Date: 2010-10-21
• [Presentation] Surface treatments of 4H-SiC evaluated by contact angle measurement (2010)
  • Author(s): 畑山智亮, 他4名
  • Organizer: European Conference of Silicon Carbide and Related Materials
  • Place of Presentation: Norway
  • Year and Date: 2010-09-01
• [Presentation] 4H-SiC (000-1)C面の熱エッチング特性 (2009)
  • Author(s): 網嶋健人, 畑山智亮, 他3名
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
  • Place of Presentation: 神戸市
  • Year and Date: 2009-12-17
• [Presentation] 塩素ガスでの熱エッチングによる4H-SiC{11-2-m}および{1-10-n}面の形成 (2009)
  • Author(s): 纐纈英典, 畑山智亮, 他2名
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会
  • Place of Presentation: 神戸市
  • Year and Date: 2009-12-17
• [Presentation] 4H-SiC (000-1)C面の熱エッチング特性 (2009)
  • Author(s): 網嶋、畑山
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場(兵庫県)
  • Year and Date: 2009-12-17
• [Presentation] 塩素ガスでの熱エッチングによる4H-Sic {11-2-m}および{1-10-n}面の形成 (2009)
  • Author(s): 網嶋、畑山
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第18回講演会
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場(兵庫県)
  • Year and Date: 2009-12-17
• [Presentation] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system (2009)
  • Author(s): 畑山智亮, 他3名
  • Organizer: International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
  • Place of Presentation: Germany
  • Year and Date: 2009-10-14
• [Presentation] Self-formation of specific pyramidal planes in 4H-SiC formed by chlorine based ambience (2009)
  • Author(s): H.Koketsu T.Hatayama, 他3名
  • Organizer: International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
  • Place of Presentation: Germany
  • Year and Date: 2009-10-14
• [Presentation] Hexagonality and stacking sequence dependence of etching properties in Cl_2-O_2-SiC system (2009)
  • Author(s): T Hatayama
  • Organizer: International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
  • Place of Presentation: 国際会議場(Nurnberg, Germany)
  • Year and Date: 2009-10-14
• [Presentation] Self-formation of specific pyramidal planes in 4H-SiC formed by chlorine based ambience (2009)
  • Author(s): H.Koketsu, T.Hatayama
  • Organizer: International Conference of Silicon Carbide and Related Materials
  • Place of Presentation: 国際会議場(Nurnberg, Germany)
  • Year and Date: 2009-10-14
• [Presentation] 塩素ガスを使った熱エッチングにおける4H-SiCメサ側壁傾斜角度の制御 (2009)
  • Author(s): 纐纈英典, 畑山智亮, 他2名
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] 熱エッチングで形成した4H-SiCメサ構造のオフ角度と方位依存性 (2009)
  • Author(s): 纐纈英典, 畑山智亮, 他3名
  • Organizer: 第56回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 筑波大学
  • Year and Date: 2009-03-31
• [Presentation] 接触角度の測定と素子特性によるSiC表面処理の評価 (2008)
  • Author(s): 鈴木啓之, 畑山智亮, 他4名
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
  • Place of Presentation: 東京都
  • Year and Date: 2008-12-08
• [Presentation] 熱エッチングによる4H-SiC高指数面の形成とショットキーバリアダイオードへの応用 (2008)
  • Author(s): 纐纈英典, 畑山智亮, 他2名
  • Organizer: シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会第17回講演会
  • Place of Presentation: 東京都
  • Year and Date: 2008-12-08
• [Presentation] Characterization of 4H-SiC analyzed by cathodeluminescence and electron-beam induced current methods (2008)
  • Author(s): 畑山智亮, 他3名
  • Organizer: European conference of silicon carbide and related materials
  • Place of Presentation: Spain
  • Year and Date: 2008-09-07
• [Presentation] Characterization of 4H-SiC Analyzed by Cathodeluminescenee and Electron-Beam Induced Current Methods (2008)
  • Author(s): T. Hatayama
  • Organizer: European Conference of Si 1 icon Carb ideand Related Materials
  • Place of Presentation: Axa Audi torium ( Bacelona, SPAIN )
• [Remarks] ホームページ等
  • URL: http://mswebs.naist.jp/LABs/fuyuki/index.html