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単結晶刀具の為のSiC結晶成長の研究

Research Project

Project/Area Number 20656025
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Production engineering/Processing studies
Research InstitutionNagoya Institute of Technology

Principal Investigator

江龍 修  Nagoya Institute of Technology, 工学研究科, 教授 (10223679)

Project Period (FY) 2008 – 2009
Project Status Completed (Fiscal Year 2009)
Budget Amount *help
¥2,700,000 (Direct Cost: ¥2,700,000)
Fiscal Year 2009: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 2008: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
KeywordsSiC単結晶刀具 / 単結晶成長 / ドーピング / 劈開性制御
Research Abstract

本年度は1:単結晶材料の非劈開性の史なる向上、2:曲面形状刃先のCMP手法の確立、3:高反応性材料(主にチタン(Ti))との低接触抵抗加工の実現を目的とした。
1:及び2:非劈開性と曲面形状研磨
研究を進めていく間に、刃先のチッピングとCMP研磨仕上がり状態とに強い相関関係があることを見出した。単結晶材の被加工性をダイヤモンド砥石による加工抵抗により観察した結果、ドーピングによって加工抵抗が2倍以上高くなる事を見出した。しかし、チッピング特性は向上しなかった。新規に開発した曲面CMP手法によってすくい面のみではなく逃げ面のCMP加工が可能となった。その結果、チッピング耐性が劇的に向上し、3:に示すTi材の薄線加工が可能となった。
3:Ti材の低接触抵抗加工の実現
上記研究成果により、純Ti並びにβTiを切削速度80m/min、切り込み量0.3mmで切り屑排出量382cc/minを実現出来た。刃先の鋭利化のみではなく、刃先まで単結晶性状となっていることが最も重要であった。Ti用として市販されている超硬チップとの比較では、刃先が欠けるまでの比較において、平均で1.5倍以上の耐力を得ている。
本研究期間内においては化学反応性を評価する手法の開発までには至らなかったが、切り込み深さ3μm、切削速度20m/minにおいて全く切断しない切り屑を排出することが出来た。被切削材表面は、加工直後の体感によれば室温を維持しており、薄片状の切り子が加工硬化を生じていないことから、切削抵抗を極めて小さい状態にすることが出来ていると考える。今後は更に研究を進め、切削加工における刀具と材料との化学反応状態を定量評価したい。

Report

(2 results)
  • 2009 Annual Research Report
  • 2008 Annual Research Report
  • Research Products

    (10 results)

All 2010 2009 2008

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (7 results)

  • [Journal Article] Effects of the Surface Condition of the Substrates on the Electrical Characteristics of 4H-SiC MOSFETs2009

    • Author(s)
      T.Ohshima, S.Onoda, T.Kamada, K.Hotta, K.Kawata, O.Eryu
    • Journal Title

      Materials Science Forum 615-617

      Pages: 781-784

    • Related Report
      2009 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Improvements in Electrical Properties of SiC Surface Using Mechano-Chemical Polishing2009

    • Author(s)
      K.Hotta, K.Hirose, Y.Tanaka, K.Kawata, O.Eryu
    • Journal Title

      Materials Science Forum 600-603

      Pages: 823-826

    • Related Report
      2009 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article]2009

    • Author(s)
      発行者 吉田隆, 分担執筆者 江龍修, 他56名
    • Journal Title

      次世代パワー半導体(株式会社エヌ・ティー・エス)

      Pages: 47-56

    • Related Report
      2009 Annual Research Report
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    • Author(s)
      田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
    • Organizer
      応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      東海大学
    • Year and Date
      2010-03-18
    • Related Report
      2009 Annual Research Report
  • [Presentation] 表面原子ステップがSBD電気的特性に与える影響2009

    • Author(s)
      田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
    • Organizer
      応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • Place of Presentation
      神戸国際会議場
    • Year and Date
      2009-12-17
    • Related Report
      2009 Annual Research Report
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    • Author(s)
      松嶋拓矢, 永利一幸, 江龍修
    • Organizer
      応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • Place of Presentation
      神戸国際会議場
    • Year and Date
      2009-12-17
    • Related Report
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  • [Presentation] 光励起を用いたSiC加工表面の非接触評価2009

    • Author(s)
      西尾和真, 永利一幸, 江龍修
    • Organizer
      応用物理学会SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会
    • Place of Presentation
      神戸国際会議場
    • Year and Date
      2009-12-17
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  • [Presentation] 単結晶Siウエハを用いたSiC基板のCMP加工2009

    • Author(s)
      松嶋拓矢, 永利一幸, 江龍修
    • Organizer
      応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山大学
    • Year and Date
      2009-09-08
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  • [Presentation] 電気的特性に及ぼす表面原子ステップの影響2009

    • Author(s)
      田中弥生, 神田隆生, 永利一幸, 江龍修
    • Organizer
      応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      富山大学
    • Year and Date
      2009-09-08
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      2009 Annual Research Report
  • [Presentation] 中小企業との連携による新素材(SiC)切削ツールのイノベーション2008

    • Author(s)
      江龍修
    • Organizer
      MOT国際シンポジウム
    • Place of Presentation
      名古屋工業大学
    • Year and Date
      2008-11-28
    • Related Report
      2008 Annual Research Report

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Published: 2008-04-01   Modified: 2016-04-21  

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