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Development of an ultra-smooth surface formation technique required for highly efficient SiC power device fabrication.

Research Project

Project/Area Number 20760087
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Production engineering/Processing studies
Research InstitutionKumamoto University

Principal Investigator

KUBOTA Akihisa  Kumamoto University, 大学院・自然科学研究科, 助教 (80404325)

Project Period (FY) 2008 – 2009
Project Status Completed (Fiscal Year 2009)
Budget Amount *help
¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Fiscal Year 2009: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
Keywords超精密加工 / SiC / 平坦化 / 触媒支援加工 / 紫外光支援加工 / パワーデバイス / シリコンカーバイド(SiC) / 化学的加工 / 触媒援用加工 / 超精密研磨
Research Abstract

Silicon carbide (SiC) is a promising next-generation semiconductor material for high-temperature, high-frequency and high-power device applications due to its excellent properties, such as good thermal conductivity, good carrier mobility and high chemical stability. However, SiC substrates are relatively difficult to machine because of their mechanical hardness and marked chemical inertness.
The purpose of this research is to develop the high precision and high efficiency planarization method for SiC substrate indispensable to production of a next-generation semiconductor device. In this study, we have proposed a novel planarization method for a SiC surface and GaN surface utilizing the OH radicals generated from an Fe catalyst and H2O2 solution, and demonstrated the effectiveness and impact of the proposed method. Finally, we have succeeded in planarizing overall 2-inch SiC substrate and succeeded in smoothing GaN surface.

Report

(3 results)
  • 2009 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2008 Annual Research Report
  • Research Products

    (21 results)

All 2010 2009 2008

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (16 results) Patent(Industrial Property Rights) (3 results)

  • [Journal Article] A Study on a Surface Preparation Method for Single-Crystal SiC Using an Fe Catalyst2009

    • Author(s)
      Akihisa Kubota, Keita Yagi, Junji Murata, Heiji Yasui, Shiro Miyamoto, Hideyuki Hara, Yasuhisa Sano, Kazuto Yamauchi
    • Journal Title

      Journal of Electronic Materials 38

      Pages: 159-163

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  • [Journal Article] A Study on a Surface Preparation Method for Single-Crystal SiC Using an Fe Catalyst2009

    • Author(s)
      Akihisa Kubota
    • Journal Title

      Journal of Electronic Materials 38

      Pages: 159-163

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    • Author(s)
      久保田章亀, 濟陽崇志, 中西義孝, 峠睦
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      2010年度精密工学会春季大会学術講演会学術論文集
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      久保田章亀, 宮本士郎, 濟陽崇志, 安井平司
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      久保田章亀
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  • [Presentation] SiC表面上への微細構造形成プロセスに関する研究-微細溝構造の形成-2008

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      久保田章亀, 宮本士郎, 濟陽崇志, 安井平司, 山内和人
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      2008年度精密工学会精密工学会秋季大会学術講演会学術論文集
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      東北大学
    • Year and Date
      2008-09-18
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  • [Presentation] 遷移金属微粒子を用いた研磨法によるGaN基板の平坦化-基礎加工特性の検討-2008

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      宮本士郎
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      精密工学会(2008年秋季大会学術講演会)
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  • [Presentation] SiC表面上への微細構造形成プロセスに関する研究-微細溝構造の形成-2008

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      久保田章亀
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      東北大学
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      2008-09-18
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    • Inventor(s)
      久保田章亀峠睦
    • Industrial Property Rights Holder
      熊本大学
    • Industrial Property Number
      2010-068021
    • Filing Date
      2010-03-24
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      久保田章亀
    • Industrial Property Rights Holder
      熊本大学
    • Industrial Property Number
      2010-068021
    • Filing Date
      2010-03-24
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  • [Patent(Industrial Property Rights)] 触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置2009

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      久保田章亀
    • Industrial Property Rights Holder
      熊本大学
    • Industrial Property Number
      2009-037182
    • Filing Date
      2009-02-19
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      2009 Final Research Report 2008 Annual Research Report

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Published: 2008-04-01   Modified: 2016-04-21  

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