Study of high-sensitive electrooptic sensor
| Project/Area Number |
20760227
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | National Institute of Information and Communications Technology |
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Principal Investigator |
KANNO Aatsushi National Institute of Information and Communications Technology, 新世代ネットワーク研究センター先端ICTデバイスグループ, 専攻研究員 (20400707)
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| Project Period (FY) |
2008 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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| Budget Amount *help |
¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2009: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2008: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
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| Keywords | マイクロ波・ミリ波 / ナノ光デバイス / 電気光学効果 / 量子ドット / 半導体光デバイス |
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| Research Abstract |
ナノ光デバイス構造を利用する超高感度光電界センサの検討を行った結果、従来比1000倍以上の感度を有する量子井戸型電界吸収効果光センサの製作可能性を得た。あわせて量子ドット構造を利用する光電界センサ素子の試作も行った。他方、光電界計測技術を応用し、超高周波電界の瞬時可視化および進行電磁界の可視化に世界で初めて成功した。
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Report
(3 results)
Research Products
(6 results)
