Control of in-homogeneity of semiconductor quantum dot structure
| Project/Area Number |
20760481
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Structural/Functional materials
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| Research Institution | National Institute of Information and Communications Technology |
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Principal Investigator |
YAMAMOTO Naokatsu National Institute of Information and Communications Technology, 新世代ネットワーク研究センター・先端ICTデバイスグループ, 主任研究員 (60328523)
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| Project Period (FY) |
2008 – 2009
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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| Budget Amount *help |
¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Fiscal Year 2009: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000)
Fiscal Year 2008: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
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| Keywords | 量子ドット / 半導体ナノ構造 / 化合物半導体 / 広帯域発光 / 結晶成長 / 不均一構造 |
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| Research Abstract |
半導体量子ドットの構造不均一性の発生メカニズムを実験的に考察し、その不均一性制御のための新技術として、(1)アンチモン分子照射法、(2)サンドイッチ・サブナノ・セパレータ法を開発・提案した。構造不均一性が制御された量子ドット構造を光ゲイン材料とする量子ドットレーザダイオードを作製した。その結果、波長1.0、1.3ミクロン帯の近赤外域で超広波長帯域光出力を示すレーザ光源の開発に成功した。
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Report
(3 results)
Research Products
(9 results)
