Research Project
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
歪みより強誘電性を示すチタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)について、基板と薄膜の熱膨張係数のミスマッチ、すなわち熱応力を利用して、薄膜における強誘電性の発現とその機構解明を試みた。SrTiO_3の約2倍の熱膨張係数をもつフッ化カルシウムを基板として用いることで、約0.7%の面内圧縮歪みを有したSrTiO_3膜が成長した。面内圧縮歪みにより、強誘電相転移温度が上昇し、また、酸素8面体の微小回転を伴う構造相転移温度も上昇する事が明らかになった。
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http://f-lab.iem.titech.ac.jp/f-lab.htm