• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to previous page

Application of Power Semiconductor to Direct-Current Interruption and Evaluaation of Current Interruption Performance

Research Project

Project/Area Number 20H02130
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Review Section Basic Section 21010:Power engineering-related
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

Yokomizu Yasunobu  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (50230652)

Project Period (FY) 2020-04-01 – 2023-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2022)
Budget Amount *help
¥14,170,000 (Direct Cost: ¥10,900,000、Indirect Cost: ¥3,270,000)
Fiscal Year 2022: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2021: ¥9,360,000 (Direct Cost: ¥7,200,000、Indirect Cost: ¥2,160,000)
Fiscal Year 2020: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Keywords直流遮断 / パワー半導体素子 / 限流 / DC給配電システム / 電流遮断 / パワー半導体 / 半導体デバイス
Outline of Research at the Start

半導体分野では,パワー半導体の大電流化・高電圧化が進展し,パワー半導体の定格電流・定格電圧は上述のDCシステムに対応できるレベルに達してきた。パワー半導体では,コントロール回路によって,導通状態・非導通状態にスイッチングできる。本研究の主目的は,パワー半導体のスイッチング機能を電流遮断に適用し,限流機能を具備したパワー半導体型モデルDC遮断器の回路構成・仕様を提案すること,次いで,遮断過程での電圧・電流・PN接合部温度の過渡推移を明らかにし,半導体の定格電流・電圧とDCモデル器による直流遮断限界との関係を提示することである。

Outline of Final Research Achievements

Application of a wide gap power semiconductor (SiC MOS-FET) to low-voltage direct-current interruption has been researched to propose a model low-voltage DC circuit breaker that functions limitation and interruption of the DC and to devise the circuit configuration in the model circuit breaker.
One of the proposed circuit breaker has two units: a current limitation unit composed of a semiconductor and a resistor and a current breaking unit composed of a semiconductor. Transient current and voltage across the power semiconductor were shown during the current breaking process with the model circuit breaker. In addition, P/N junction temperature rise during the current breaking process was also evaluated, based on Cauer thermal circuit constructed in this research. As other of the current breaking way, a method was devised to transform from the DC into a damping oscillating current method. The circuit configuration that achieves this transformation method was furthermore shown.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

現在のDC伝送システムでは,アーク放電の過渡推移を利用した遮断器が,負荷電流の開閉および故障電流の遮断を行っている。現在の遮断器の基本設計は,アーク放電の抵抗を高速上昇することによって,直流電流を限流遮断させることである。しかし,アーク抵抗の高速上昇を目指しても,以下に示す要素に依存してしまい,困難に直面する。(i) アーク抵抗の過渡応答は,多くのアーク要素現象に影響され,目標値を達成しにくい。(ii) 限流遮断時間の短縮化を目指しても,アーク特性に左右されてしまい,所定値を実現することが困難である。

Report

(4 results)
  • 2022 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2021 Annual Research Report
  • 2020 Annual Research Report
  • Research Products

    (10 results)

All 2023 2022 2021 2020

All Presentation (10 results) (of which Invited: 1 results)

  • [Presentation] SiC-MOSFET素子を用いた低電圧DC遮断 ー減衰振動性電流の生成による限流とその基礎検討ー2023

    • Author(s)
      長谷川海渡,横水康伸,兒玉直人,渡邉幹太
    • Organizer
      令和5年電気学会全国大会講演論文集,6-057
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC-MOSFETのスイッチング機能を用いた低電圧DC遮断法とそのプロセス ー減衰振動電流生成方式の試みー2022

    • Author(s)
      長谷川 海渡,横水 康伸,兒玉 直人,渡邉 幹太
    • Organizer
      令和4年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会,D6-2
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC-MOSFET素子による低電圧直流遮断プロセスにおける PN接合部温度と端子間電圧--大電流型素子の適用--2022

    • Author(s)
      渡邉幹太,横水康伸,兒玉直人,藤田雄大
    • Organizer
      令和4年電気学会全国大会講演論文集
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC-MOSFETの熱インピーダンスの過渡特性を表すCauer型等価熱回路の 構築:パワー半導体を用いた低電圧DC遮断器への適用2021

    • Author(s)
      渡邉幹太,横水康伸,兒玉直人
    • Organizer
      電気学会研究会資料 放電・プラズマ・パルスパワー/静止器/開閉保護合同研究会
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
  • [Presentation] 大電流型SiC-MOSFET を用いた低圧直流モデル遮断器による電流遮断時間の測定2021

    • Author(s)
      渡邉幹太,横水康伸,兒玉直人
    • Organizer
      令和3年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC-MOSFETを適用した低電圧直流モデル遮断器による電流遮断 ―PN接合部温度と限流部電圧の過渡推移―2021

    • Author(s)
      横水康伸,渡邉幹太,兒玉直人
    • Organizer
      2021年(第39回)電気設備学会全国大会講演論文集
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC-MOSFETによる低圧直流大電流遮断過程と限流部端子間電圧・遮断部接合部温度上昇の評価2021

    • Author(s)
      渡邉幹太,横水康伸,小椋陽介,小川拓真
    • Organizer
      令和3年電気学会全国大会講演論文集
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC-MOSFETを用いた低圧直流大電流遮断プロセスにおける過渡電圧・接合部温度の評価2020

    • Author(s)
      渡邉幹太,横水康伸,小椋陽介,小川拓真
    • Organizer
      電気学会研究会資料 放電・プラズマ・パルスパワー/静止器/開閉保護合同研究会
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
  • [Presentation] SiC-MOSFET による低圧直流遮断と接合部温度上昇の緩和2020

    • Author(s)
      渡邉 幹太,横水 康伸,小椋 陽介,小川 拓真
    • Organizer
      令和2年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
  • [Presentation] 低電圧DC遮断へのワイドギャップ半導体の適用:電流遮断とジャンクション温度2020

    • Author(s)
      横水康伸
    • Organizer
      電気学会 電力・エネルギー部門 静止器技術委員会 第16回「日本のライフラインを支える電力設備」シンポジウム
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
    • Invited

URL: 

Published: 2020-04-28   Modified: 2024-01-30  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi