| Project/Area Number |
20H02207
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
Takigawa Ryo 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (80706846)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山口 祐也 国立研究開発法人情報通信研究機構, ネットワーク研究所フォトニックICT研究センター, 研究員 (30754791)
坂本 高秀 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授 (70392727)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2022)
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| Budget Amount *help |
¥17,420,000 (Direct Cost: ¥13,400,000、Indirect Cost: ¥4,020,000)
Fiscal Year 2022: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
Fiscal Year 2021: ¥10,140,000 (Direct Cost: ¥7,800,000、Indirect Cost: ¥2,340,000)
Fiscal Year 2020: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
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| Keywords | 低温接合 / 透明性接合界面 / 集積フォトニクス / 電気光学デバイス / LNOI光変調器 / 低駆動電圧LNOI/Si光変調器 / 大口径LNOI/Siウエハ / 半導体ウエハ接合 / 薄膜LNOI/Si光変調器 / LNOI/Si光変調器 / 透明接合界面 / 高機能接合界面 |
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| Outline of Research at the Start |
集積フォトニクス基盤技術として、透明性を有する高機能接合界面を創成するとともに、超高速光変調を可能とする酸化物電気光学結晶の異種材料集積化を実現する。本研究では、透明接合界面を利用した酸化物の低温ウエハ接合技術を開発し、Si上への酸化物光集積回路の基盤製造技術としての確立を目指す。さらに、他の酸化物材料に対しても本接合法の適用性検証を行い、汎用的なデバイス製造技術としての展開も視野に入れる。
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| Outline of Final Research Achievements |
As next-gen manufacturing technology of integrated photonics, we have developed a low-temperature wafer bonding technique of oxides using a highly transparent bonding interface, and successfully integrated an optical waveguide-typed modulator consisting of an electro-optic crystal on Si platform. The applicability of this low-temperature bonding technique to other materials was also investigated and its effectiveness was demonstrated.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
本研究成果により得られた透明性接合界面を利用した光学酸化物の低温ウエハ接合技術は、次世代の異種材料集積フォトニクス具現化のための基盤製造技術として期待される。また、形成された多様な異種材料間のナノ接合界面近傍における原子スケール解析を通じて得られた知見は、将来の接合メカニズム解明に向けて学術的な意義は大きい。
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