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透明酸化物薄膜トランジスタによるセンサ・オン・フィルムの創成

Research Project

Project/Area Number 20J23326
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeSingle-year Grants
Section国内
Review Section Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research InstitutionNara Institute of Science and Technology

Principal Investigator

高橋 崇典  奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 特別研究員(DC1)

Project Period (FY) 2020-04-24 – 2023-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2022)
Budget Amount *help
¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
Fiscal Year 2022: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2021: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2020: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Keywords酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 化学センサ / 信頼性
Outline of Research at the Start

酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは更なる高性能化および用途拡大に関する研究が盛んであるが、信号変換素子としての信頼性の向上やその評価手法の開発も同時に求められる。本研究では酸化物薄膜トランジスタをトランスデューサとしたセンサデバイスを開発する。特に薄膜トランジスタの信頼性および安定性の改善に着目し、センサデバイスに適した酸化物半導体材料を提案する。また、分子認識化学に基づいた検出場と組み合わせることで、検出場と標的種間にはたらく分子間相互作用を微小な電位変化として正確に読み出し可能な高信頼性トランジスタ型センサを実現させる。

Outline of Annual Research Achievements

酸化物薄膜トランジスタを用いた化学センサについて
検出対象はアミノ酸と生体アミンとした。生体分子の検出信号を電気的信号に変換する酸化物薄膜トランジスタに4-メルカプト安息香酸を自己組織化単分子膜として集積させたAu電極を延長ゲート電極として接続し、センサ機構を構築した。また、Au電極上に成膜した4-メルカプト安息香酸の自己組織化単分子膜の評価として、接触角と仕事関数の評価を実施し、Au表面の修飾状態を確認した。令和4年度はヒスタミンのリアルタイム検出に加えて、他の生体分子 (ヒスチジンやポリアミン類) に対する応答性と選択性の評価を行った。その結果、各種生体分子に対する検出信号には有意な差が確認されており、高信頼性な酸化物薄膜トランジスタは有用なセンサプラットフォームとして期待できる可能性が示された。

酸化物半導体材料の探索と信頼性評価について
酸化物半導体材料の探索については重要な知見が多数得られた。酸化物薄膜トランジスタの信頼性、組成、熱処理温度の関係性を系統的に評価し、正ゲート電圧ストレスに対するしきい値電圧のシフト量は酸化物半導体の組成と熱処理温度に大きく依存しており、過剰酸素などの不純物の振る舞いに差が表れることを実験的に明らかにした。中でもIn-Zn-O系の組成を選択し、組成比を最適化するとで、300℃等のフィルム基板が使用可能な熱処理温度域でも高い信頼性が得られることがわかった。本材料探索の過程において、集積デバイスや強誘電体メモリ等の他のアプリケーションにも適用可能な材料系も発見した。重要な知見については国内会議と国際会議で発表を行った。また、酸化物薄膜トランジスタの光誘起劣化現象についてもデバイス構造に由来する新たな知見が得られた。

Research Progress Status

令和4年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

令和4年度が最終年度であるため、記入しない。

Report

(3 results)
  • 2022 Annual Research Report
  • 2021 Annual Research Report
  • 2020 Annual Research Report
  • Research Products

    (10 results)

All 2023 2022 2021 2020

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results,  Invited: 4 results)

  • [Journal Article] Degradation Due to Photo-Induced Electron in Top-Gate In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors With n- Region Under Negative Bias Stress and Light Irradiation2023

    • Author(s)
      Takeda Yujiro、Takahashi Takanori、Miyanaga Ryoko、Bermundo Juan Paolo S.、Uraoka Yukiharu
    • Journal Title

      IEEE Electron Device Letters

      Volume: 44 Issue: 5 Pages: 765-768

    • DOI

      10.1109/led.2023.3258960

    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Unique degradation under AC stress in high-mobility amorphous InWZnO thin-film transistors2020

    • Author(s)
      Takahashi Takanori、Fujii Mami N.、Miyanaga Ryoko、Miyanaga Miki、Ishikawa Yasuaki、Uraoka Yukiharu
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 13 Issue: 5 Pages: 054003-054003

    • DOI

      10.35848/1882-0786/ab88c5

    • Related Report
      2020 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 三次元集積型強誘電体デバイスへ向けた三元系非晶質酸化物半導体材料2023

    • Author(s)
      髙橋崇典、上沼睦典、小林正治、浦岡行治
    • Organizer
      第70回 応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Invited
  • [Presentation] 三次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法で成膜した三元系非晶質酸化物半導体In-Ga-O2023

    • Author(s)
      髙橋崇典、上沼睦典、小林正治、浦岡行治
    • Organizer
      第70回 応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] 三次元集積デバイス応用に向けた非晶質酸化物半導体材料の開発2022

    • Author(s)
      髙橋崇典、上沼睦典、小林正治、浦岡行治
    • Organizer
      第83回 応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] Thermally Stable Ternary Amorphous Oxide Semiconductors for HfO2-based Ferroelectric Field-Effect Transistor Memories2022

    • Author(s)
      Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Masaharu Kobayashi, Yukiharu Uraoka
    • Organizer
      The 29th International Display Workshops
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Investigation of NBIS Degradation Mechanism in Oxide TFT Assisted by Charge Trap Phenomena2021

    • Author(s)
      Shunsuke Omae, Takanori Takahashi, Mutshunori Uenuma, Yukiharu Uraoka
    • Organizer
      The 29th International Display Workshops (IDW'21)
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Hot carrier effects in InGaZnO thin-film transistor2020

    • Author(s)
      髙橋崇典, 宮永良子, 藤井茉美, 田中淳, 竹知和重, 田邉浩, J. P. Bermundo, 石河泰明, 浦岡行治
    • Organizer
      第81回 応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
    • Invited
  • [Presentation] Hot Carrier Degradation in High-Mobility Metal-Oxide Thin-Film Transistors2020

    • Author(s)
      Yukiharu Uraoka, Takanori Takahashi, Kahori Kise, Juan Bermundo, Mami Fujii, Mutsunori Uenuma, Yasuaki Ishikawa
    • Organizer
      Display week 2020
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Hot Carrier Phenomena in Oxide Thin-Film Transistors2020

    • Author(s)
      Jun Tanaka, Mami N. Fujii, Ryoko Miyanaga, Takanori Takahashi, Kazushige Takechi, Hiroshi Tanabe
    • Organizer
      PRiME 2020
    • Related Report
      2020 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research / Invited

URL: 

Published: 2020-07-07   Modified: 2024-03-26  

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