| Project/Area Number |
20K12003
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Basic Section 61040:Soft computing-related
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
ARAI Hiroko 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2022)
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| Budget Amount *help |
¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Fiscal Year 2022: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000)
Fiscal Year 2021: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2020: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
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| Keywords | MRAM / 磁性メモリ / 書き込みエラー率 / WER / 磁気メモリ / 電圧駆動MRAM / 書き込みエラー / 保持エラー / 電圧書き込み / 確率密度関数 / 不揮発メモリ |
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| Outline of Research at the Start |
シリコンデバイスの微細化技術が限界に近づくにつれて素子ばらつきに起因したエラー発生
の増加や歩留まりの低下が懸念されている。またメモリデバイスでは一般に低消費電力での
動作では信頼性を高くできないことが問題である。本研究では、信頼性の低い動作条件でメ
モリデバイスを積極運用することで低消費電力化を実現する学習デバイスを提案する。
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| Outline of Final Research Achievements |
In order to utilize memory devices with high error rate, we conducted a theoretical research on voltage-controlled magnetic random access memory (VC-MRAM), focusing on write and retention errors. The probability density function of the write error rate was derived under the assumption of a material parameter variations. Also, characteristic time between retention error and write error was discussed.
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| Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements |
エラー率の高いメモリを利用したメモリシステムの実現に向けて、メモリシステムの設計、運用に必要となる基礎的な情報を提供できる理論的枠組みを構築した。
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