高温超伝導応用機器の最適設計を目指した遮蔽電流密度の高性能解析

• Project/Area Number: 20K14709
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 21010:Power engineering-related
• Research Institution: Yamagata University
• Principal Investigator: 高山 彰優 山形大学, 大学院理工学研究科, 助教 (70396589)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2020)
• Budget Amount: ¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000); Fiscal Year 2022: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000); Fiscal Year 2021: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2020: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
• Keywords: 数値シミュレーション / 電磁界解析 / 高温超伝導体 / 有限要素法 / 最適化問題

Outline of Research at the Start

超伝導応用機器を設計・開発するには，超伝導体中を流れる遮蔽電流密度の解析が必要不可欠である．特に，大型な超伝導機器を設計する際に，数値シミュレーションは必須であるといえる．一方，数値シミュレーションは高次元化・大規模化する傾向にあり，高性能解析技術の開発が強く望まれている．本研究の目的は，高温超伝導薄膜内に流れる遮蔽電流密度の時間発展問題を高性能かつ大規模最適化技術を開発し，超伝導応用機器の最適設計を目指すことである．