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Circuit technology and architecture for ultralow-power high-speed integrated circuits using beyond-CMOS devices

Research Project

Project/Area Number 20K21791
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Medium-sized Section 60:Information science, computer engineering, and related fields
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

Sugahara Satoshi  東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (40282842)

Project Period (FY) 2020-07-30 – 2024-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000)
Fiscal Year 2022: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2021: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Fiscal Year 2020: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords集積回路 / Beyond-CMOS / ultralow voltage / 超低電圧トランジスタ / 超低消費電力高速ロジック・メモリ / 超低消費電力高速ロジック / 超低消費電力高速メモリ / 低電圧ロジック / 低電圧メモリ
Outline of Research at the Start

本研究では新型PETによって,0.2V程度の超低電圧駆動で劇的な低消費電力化と,現状CMOS技術と同等以上の高速性能を有するロジックシステムの基盤技術を創出する.具体的には,電力遅延積が現状より2桁小さいロジックシステムの実現を目指す.
ここで提案する技術群はCMOS構成のロジックシステム技術を踏襲し,現行のアーキテクチャを継承して,究極の省エネ化を可能とする新たなロジックシステムを構築することができる.本技術はPET以外の同等のBeyond-CMOSにも応用が可能である.

Outline of Final Research Achievements

Ultra-low voltage operations of complementally CMOS logic systems are considerably effective at reducing power dissipation. However, their operation speed is severely degraded for the ultralow-voltage operations, since the current drivability of the transistors deteriorates at low voltages. A new piezoelectronic transistor (PET) is proposed for ultralow-voltage high-speed integrated circuits. The device is comprised of a cylindrical piezoresistive (PR) channel and a torus-shape piezoelectric (PE) gate. The PR channel can largely change its resistivity owing to the metal-insulator transition. The PET can achieve high current drivability even at ultralow voltages. Design methodologies and architectures of complementary-PET-based basic circuits for logic applications are developed. Performance and behavior of these PET-based circuits are analyzed using an equivalent circuit of PETs. The complementary PETs can exhibit high-speed (several GHz operations) and low-power performance at 0.2 V.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

本研究課題では,Beyond-CMOSの一つであるpiezoelectronic transistor (PET)をモデルケースとして,超低電圧駆動GHz級動作が可能な超低消費電力・高速ロジックシステムの基盤技術の開発を行った.本研究で開発した技術のようにPETと同様の高い電流駆動能力を有するBeyond-CMOSであれば,超低電圧であってもCMOSとほぼコンパチブルな回路技術・アーキテクチャを共通に応用できる可能性がある.

Report

(5 results)
  • 2023 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2022 Research-status Report
  • 2021 Research-status Report
  • 2020 Research-status Report
  • Research Products

    (8 results)

All 2024 2022 2021 2020

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (6 results)

  • [Journal Article] CMOS プラットフォームを用いた新技術の創成:超低消費電力 CMOS ロジックシステム,BeyondCMOS デバイス,体温を用いた熱電発電モジュール2022

    • Author(s)
      菅原聡
    • Journal Title

      日本熱電学会誌

      Volume: 18 Pages: 159-162

    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Modeling and Design of a New Piezoelectronic Transistor for Ultralow-Voltage High-Speed Integrated Circuits2020

    • Author(s)
      Y. Shiotsu, S. Yamamoto, Y. Shuto, H. Funakubo, M. K. Kurosawa and S. Sugahara
    • Journal Title

      IEEE Trans. on Electron Devices

      Volume: 67 Issue: 9 Pages: 3852-3860

    • DOI

      10.1109/ted.2020.3008891

    • Related Report
      2020 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] ピエゾエレクトロニックトランジスタで構成した超低電圧SRAMのばらつき耐性2024

    • Author(s)
      塩津勇作,菅原聡
    • Organizer
      応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
  • [Presentation] 新型超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)セルの提案2022

    • Author(s)
      伊藤克俊,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2022 Research-status Report
  • [Presentation] 超低電圧リテンションSRAMのパワーゲーティング性能とアーキテクチャ2021

    • Author(s)
      矢野広気,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
    • Organizer
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2021 Research-status Report
  • [Presentation] バルクデバイスを用いた超低電圧リテンションFlip-Flopの設計と解析2021

    • Author(s)
      松﨑翼,塩津勇作,山本修一郎,菅原聡
    • Organizer
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2021 Research-status Report
  • [Presentation] ボディバイアス制御ULVR-SRAMの設計と解析2021

    • Author(s)
      斎藤修平,塩津勇作,原拓実,山本修一郎,菅原聡
    • Organizer
      第82回応用物理学会秋季学術講演会
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  • [Presentation] ボディバイアス効果を用いたULVR-SRAMセルの設計とそのパワーゲーティング性能2021

    • Author(s)
      塩津勇作,吉田隼,山本修一郎,菅原聡
    • Organizer
      LSIとシステムのワークショップ2021
    • Related Report
      2021 Research-status Report

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Published: 2020-08-03   Modified: 2025-01-30  

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