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Study on evaluation of thermal properties for thermoelectric Si device by temperature dependent X-ray diffraction with synchrotron radiation

Research Project

Project/Area Number 20K22418
Research Category

Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section 0302:Electrical and electronic engineering and related fields
Research InstitutionMeiji University

Principal Investigator

Yokogawa Ryo  明治大学, 理工学部, 助教 (10880619)

Project Period (FY) 2020-09-11 – 2022-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2021)
Budget Amount *help
¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Fiscal Year 2021: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Fiscal Year 2020: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Keywordsシリコン / 熱電変換 / 酸化膜 / 界面 / X線回折 / 放射光 / Si酸化膜 / 放射光X線回折 / CTR散乱 / 熱電発電デバイス / Si / X線回折 / 熱酸化膜
Outline of Research at the Start

シリコン(Si)は微細加工することで低熱伝導率を発現し、また多材料と比較して簡便なプロセス、安全性も確立されており、電子デバイスと親和性が高いことから、新たな熱電発電材料として有望視されている。今後、Siの飛躍的な熱伝導率低減へ向けて、熱の伝導を担うフォノンの散乱機構を積極的に導入することが提案されているが、熱輸送を考える上で局所的な熱特性評価技術が未発達な状態である。本研究では結晶構造に敏感な放射光X線回折に着目しSi極微小領域における熱特性評価を確立する。そして微視的な熱伝導機構を明らかにし、Si極微細熱電発電デバイスの性能を大幅に向上させることを目的とする。

Outline of Final Research Achievements

In order to realize a high-efficiency thermoelectric device, we demonstrated evaluation of thermal properties in silicon (Si) using temperature dependent X-ray diffraction with synchrotron radiation. In order to further dramatically reduce the thermal conductivity of Si, it is important to induce phonon scattering. In this study, we focused on covering oxide film on Si to achieve low thermal conductivity of Si. Oxide films were covered with Si by different processes, and the X-ray scattering intensity profiles obtained by X-ray diffraction with synchrotron radiation were compared and examined to evaluate an effect on heat transport near the Si interface.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

本研究で用いた放射光X線回折で得られるCrystal truncation rod (CTR)散乱は酸化膜/Si界面の構造に敏感であり、Si微小領域の熱伝導特性に有効であることが示唆された。また、Si酸化膜被覆プロセスによってX線散乱強度分布が異なったことから、高効率熱電発電デバイスへ向けてSi酸化膜被覆プロセスを適切に選択する必要があることを示した。そして放射光X線回折は熱電発電デバイスプロセスの1つの評価手法として有効であり、今後も応用が期待される。

Report

(3 results)
  • 2021 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2020 Research-status Report
  • Research Products

    (6 results)

All 2022 2021 2020

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (5 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 2 results)

  • [Journal Article] Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor2020

    • Author(s)
      Yokogawa Ryo、Kobayashi Hiroto、Numasawa Yohichiroh、Ogura Atsushi、Nishizawa Shin-ichi、Saraya Takuya、Ito Kazuo、Takakura Toshihiko、Suzuki Shinichi、Fukui Munetoshi、Takeuchi Kiyoshi、Hiramoto Toshiro
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 59 Issue: 11 Pages: 115503-115503

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abc1d0

    • Related Report
      2020 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 放射光技術を利用した次世代熱電発電デバイス用Ⅳ族半導体の微小領域熱特性評価2022

    • Author(s)
      横川 凌, 小椋 厚志
    • Organizer
      第9回SPring-8次世代先端デバイス研究会/第72回SPring-8先端利用技術ワークショップ 「半導体プロセス開発の現状と放射光の役割」
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
    • Invited
  • [Presentation] 温度可変放射光X線回折による熱酸化およびスパッタSiO2/Si界面の熱特性評価2022

    • Author(s)
      横川 凌, 渡辺 剛, 廣沢 一郎, 富田 基裕, 渡邉 孝信, 小椋 厚志
    • Organizer
      第69回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
  • [Presentation] Strain Behaviors and Characteristics of Phonon Transports in Group IV Semiconductors Observed by Synchrotron Radiation Techniques2021

    • Author(s)
      Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura
    • Organizer
      Material Research Meeting 2021 (MRM2021)
    • Related Report
      2021 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] X線逆格子空間マッピングを用いたメサ構造状カーボンドープシリコンにおける3軸歪評価2021

    • Author(s)
      吉岡 和俊, 小原田 賢聖, 小笠原 凱, 廣沢 一郎, 渡辺 剛, 横川 凌, 小椋 厚志
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2020 Research-status Report
  • [Presentation] ラマン分光法によるAsイオン注入Siの歪評価2021

    • Author(s)
      小原田 賢聖, 佐竹 雄太, 横川 凌, 小椋 厚志
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2020 Research-status Report

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Published: 2020-09-29   Modified: 2023-01-30  

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