| Project/Area Number |
21246004
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
|
|---|
| Research Institution | Ritsumeikan University |
|---|
Principal Investigator |
NANISHI Yasushi 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授 (40268157)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ARAKI Tsutomu 立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
|
|---|
| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
YAMAGUCHI Tomihiro 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (50454517)
KANEKO Masamitsu 立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー (70374709)
WANG Ke 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (60532223)
KIKAWA Jyunjiro 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (70469196)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2009 – 2012
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2012)
|
| Budget Amount *help |
¥45,630,000 (Direct Cost: ¥35,100,000、Indirect Cost: ¥10,530,000)
Fiscal Year 2012: ¥7,280,000 (Direct Cost: ¥5,600,000、Indirect Cost: ¥1,680,000)
Fiscal Year 2011: ¥7,280,000 (Direct Cost: ¥5,600,000、Indirect Cost: ¥1,680,000)
Fiscal Year 2010: ¥23,270,000 (Direct Cost: ¥17,900,000、Indirect Cost: ¥5,370,000)
Fiscal Year 2009: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000)
|
|---|
| Keywords | ヘテロ構造 / InN / MBE / RF-MBE / InGaN / DERI / 窒化インジウム / 分子線エピタキシー法 / 窒化インジウムガリウム / ドライエッチング / DERI法 / 極性 / p型ドーピング / MIS構造 / ウェットエッチング / KOH / オーミック電極 / ショットキー電極 / ケルビン力顕微鏡 / X線光電子分光法 |
|---|
| Research Abstract |
Using novel growth method of high-quality InN called DERI (Droplet Elimination by Radical beam Irradiation), we have developed thick and high-quality crystal growth of InN and InGaN, precise control of InGaN composition using radical monitoring, p-type conductivity by Mg doping, fabrication of hetero-, and nano-structures basedon InGaN/InGaN, and basic process for InN-based optoelectronic devices.
|
