Project/Area Number |
21246004
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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Research Institution | Ritsumeikan University |
Principal Investigator |
NANISHI Yasushi 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授 (40268157)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ARAKI Tsutomu 立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
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Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
YAMAGUCHI Tomihiro 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (50454517)
KANEKO Masamitsu 立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー (70374709)
WANG Ke 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (60532223)
KIKAWA Jyunjiro 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (70469196)
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Project Period (FY) |
2009 – 2012
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2012)
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Budget Amount *help |
¥45,630,000 (Direct Cost: ¥35,100,000、Indirect Cost: ¥10,530,000)
Fiscal Year 2012: ¥7,280,000 (Direct Cost: ¥5,600,000、Indirect Cost: ¥1,680,000)
Fiscal Year 2011: ¥7,280,000 (Direct Cost: ¥5,600,000、Indirect Cost: ¥1,680,000)
Fiscal Year 2010: ¥23,270,000 (Direct Cost: ¥17,900,000、Indirect Cost: ¥5,370,000)
Fiscal Year 2009: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000)
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Keywords | ヘテロ構造 / InN / MBE / RF-MBE / InGaN / DERI / 窒化インジウム / 分子線エピタキシー法 / 窒化インジウムガリウム / ドライエッチング / DERI法 / 極性 / p型ドーピング / MIS構造 / ウェットエッチング / KOH / オーミック電極 / ショットキー電極 / ケルビン力顕微鏡 / X線光電子分光法 |
Research Abstract |
Using novel growth method of high-quality InN called DERI (Droplet Elimination by Radical beam Irradiation), we have developed thick and high-quality crystal growth of InN and InGaN, precise control of InGaN composition using radical monitoring, p-type conductivity by Mg doping, fabrication of hetero-, and nano-structures basedon InGaN/InGaN, and basic process for InN-based optoelectronic devices.
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