| Project/Area Number |
21246006
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
|
|---|
| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
|---|
Principal Investigator |
HIBINO Hiroki 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NAGASE Masao 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762)
KAGESHIMA Hiroyuki 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
KANISAWA Kiyoshi 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70393767)
YAMAGUCHI Toru 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (30393763)
TANAKA Satoru 九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80281640)
MIZUNO Seigi 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (60229705)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2009 – 2011
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2011)
|
| Budget Amount *help |
¥46,020,000 (Direct Cost: ¥35,400,000、Indirect Cost: ¥10,620,000)
Fiscal Year 2011: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2010: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000)
Fiscal Year 2009: ¥36,790,000 (Direct Cost: ¥28,300,000、Indirect Cost: ¥8,490,000)
|
|---|
| Keywords | ナノ構造物性 / グラフェン / シリコンカーバイド / 電気伝導特性 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 量子ホール効果 / キャリア移動度 / インターカレーション / ホール素子 / バンドギャップ / 成長機構 / トランジスタ |
|---|
| Research Abstract |
When SiC is thermally decomposed by annealing, graphene epitaxially grows on the substrate. Based on this phenomenon, we produced highly-uniform monolayer, bilayer, and trilayer graphene by controlling the annealing environment and temperature. We fabricated top-gated Hall bar devices using the monolayer and bilayer graphene, and measured their characteristics. We clarified that monolayer and bilayer graphene exhibit distinctly different electronic transport properties, reflecting their electronic structures.
|
