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シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術

Research Project

Project/Area Number 21246009
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Research Field Thin film/Surface and interfacial physical properties
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

財満 鎭明  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70158947)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 中塚 理  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (20334998)
坂下 満男  名古屋大学, 工学研究科, 助教 (30225792)
近藤 博基  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50345930)
Project Period (FY) 2009 – 2011
Project Status Completed (Fiscal Year 2010)
Budget Amount *help
¥39,520,000 (Direct Cost: ¥30,400,000、Indirect Cost: ¥9,120,000)
Fiscal Year 2010: ¥14,560,000 (Direct Cost: ¥11,200,000、Indirect Cost: ¥3,360,000)
Fiscal Year 2009: ¥24,960,000 (Direct Cost: ¥19,200,000、Indirect Cost: ¥5,760,000)
Keywordsシリコン / ゲルマニウム / 表面・界面 / コンタクト / シリサイド / 表面終端 / エピタキシャル成長 / 酸化
Research Abstract

本研究では、将来のシリコン(Si)系半導体超々大規模集積回路(ULSI)の高性能化に資する、基板技術構築に向けた結晶成長およびこれを支える金属および絶縁膜/半導体界面やSiあるいはゲルマニウム(Ge)表面構造制御技術の研究を行う。本年度において得られた成果を以下に記す。
(1)Si(110)基板上にPd(10nm)およびPd(10nm)/Ti(2nm)を成膜し、これを熱処理することで、Pd_2Si/Si(110)構造を形成し、その結晶構造、熱的安定性を評価した。Si(001)基板上では、エピタキシャルPd_2Siおよび高配向性PdSiの形成を実現できる。一方、Si(110)基板上においては、このような配向性を示すシリサイド成長は優位には見られず、Ti中間層挿入によるPd_2Si凝集の抑制効果も高くない。すなわち、Ti中間層によるPd/Si反応、結晶構造制御には、基板の面方位が影響することが明らかになった。

Report

(2 results)
  • 2010 Annual Research Report
  • 2009 Annual Research Report
  • Research Products

    (5 results)

All 2010 2009 Other

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (2 results) Remarks (2 results)

  • [Journal Article] Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Laver2010

    • Author(s)
      R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys. (掲載決定)

    • Related Report
      2009 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Formation of Palladium Silicide Thin Layers on Si(110) Substrates2010

    • Author(s)
      R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • Organizer
      Advanced Metallization Conference 2010 : 20th Asian Session, Tokyo, Japan, Oct.
    • Place of Presentation
      The University of Tokyo, Tokyo, Japan
    • Year and Date
      2010-10-21
    • Related Report
      2010 Annual Research Report
  • [Presentation] Formation of Palladium Silicide on Heavily Doped Si (001) Substrates Using Ti Intermediate Layer2009

    • Author(s)
      R.Suryana, O.Nakatsuka, S.Zaima
    • Organizer
      Advanced Metallization Conference 2009 (ADMETA) : 19th Asian Session
    • Place of Presentation
      Tokyo, Japan
    • Related Report
      2009 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/zaimalab/

    • Related Report
      2010 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/zaimalab/

    • Related Report
      2009 Annual Research Report

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Published: 2009-04-01   Modified: 2016-04-21  

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