| Project/Area Number |
21F21055
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Review Section |
Basic Section 19020:Thermal engineering-related
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
丸山 茂夫 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90209700)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ZHENG YONGJIA 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2021-04-28 – 2023-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2022)
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| Budget Amount *help |
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 2022: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2021: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
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| Keywords | 1次元ヘテロ構造 / 径方向・軸方向ヘテロ構造 / 一次元ヘテロ構造 |
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| Outline of Research at the Start |
単層CNT（SWCNT），窒化ホウ素（h-BN）ナノチューブ，二硫化モリブデンナノチューブが同軸に積層された一次元ファンデルワールス（1D vdW）ヘテロ構造の基礎物性解明と実用に向け，大規模で制御性の高い合成法が求められる．本研究では，汎用性の高いCVD法を開発し，高品質1D vdWヘテロ構造ライブラリの構築を目指す．多様な1Dヘテロ構造形成を通じ，その成長メカニズムを明らかにするだけでなく，特異な物性や潜在的な応用開拓へ寄与する．
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| Outline of Annual Research Achievements |
2年目には、さらに一歩進めて1次元ヘテロ構造の概念を広げた。まず、SWCNT-BNNT-WS2ヘテロ構造において、最外層としてチューブ状のタングステンジサルファイド（WS2）が実現された。さらに、このWS2は、前述のチューブ状のMoS2と軸方向に結合させることができ、1次元MoS2 - WS2軸方向接合を形成することができた。このようなナノチューブ構造は、径方向および軸方向の両方で異なるものであり、全体の構造は幅5nmに制限されていた。1次元MoS2 - WS2軸方向接合のほか、1次元MoS2 - WS2合金ナノチューブも最外層として実現することができた。この「ダブルヘテロ」構造は、現在の1次元ヘテロ構造の知識を拡張するだけでなく、次世代の電子デバイスや光電子デバイスとして新たに開発された1次元ヘテロ構造の研究への基盤を築いている。
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| Research Progress Status |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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