| Project/Area Number |
21J01667
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 国内 |
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| Review Section |
Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
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| Research Institution | The University of Tokyo (2022)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2021) |
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Principal Investigator |
女屋 崇 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 助教
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| Project Period (FY) |
2021-04-28 – 2024-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2022)
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| Budget Amount *help |
¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
Fiscal Year 2022: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000)
Fiscal Year 2021: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
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| Keywords | ハフニウムジルコニウム酸化膜 / 強誘電体 / 界面制御 / 酸素欠損 / 分極疲労 / 硬X線光電子分光法 / 強誘電体メモリ / 原子層堆積法 / 強誘電体トランジスタ / ハフニア / ジルコニア / 低温形成 / 金属/強誘電体/半導体 |
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| Outline of Research at the Start |
本研究では、人工知能(AI)実現へ向けたキーテクノロジーの一つであるニューロモーフィックコンピューティングに着目し、その構成要素である人工シナプス素子へ向けた高性能不揮発性多値メモリとして動作可能な強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(TFT)の実現を目指す。
具体的には、強誘電体材料として更なる微細化を推し進める新規材料として注目を集めているHfxZr1-xO2 (HZO)薄膜を採用して、デバイスの構造や作製プロセスに着目しながら強誘電体ゲートTFTの高性能化を目指す。
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| Outline of Annual Research Achievements |
HfxZr1-xO2膜を強誘電体膜として用いた次世代強誘電体デバイスの実用化に向けて、今年度は分極反転回数の増加に伴い残留分極値が減少する分極疲労メカニズムの解明に取り組んだ。
これまで、HfxZr1-xO2膜を用いた強誘電体デバイスは、分極反転回数の増加に伴いHfxZr1-xO2膜へ新たな酸素欠損が形成され、これら酸素欠損により分極ドメインがピン止めされることで分極疲労が生じると考えられていた。しかし、これら分極疲労に寄与する新たな酸素欠損の生成起源に関して実験的に明らかにした例はなかった。そこで、異なる分極反転サイクルを印加したTiN/HfxZr1-xO2/TiNキャパシタのHfxZr1-xO2/TiN界面での反応に着目して、放射光X線を用いた硬X線光電子分光法(HAXPES)によりHfxZr1-xO2/TiN下部電極界面の化学結合状態を評価することで酸素欠損の生成起源を調べた。その結果、分極疲労時にHfxZr1-xO2膜からTiN下部電極側へ酸素が供給されたことでHfxZr1-xO2/TiN下部電極界面に酸素リッチなTiOxNy層が形成されていることが分かった。一方、HfxZr1-xO2膜ではTiOxNy層の形成に伴いドメインのピン止め効果に寄与する酸素欠損が増加したために、結果として分極疲労が生じたと考えられる。
以上より、HfxZr1-xO2膜の分極疲労を抑制するためにはHfxZr1-xO2膜と電極界面における酸素の動きを制御することが重要であることが示唆された。
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| Research Progress Status |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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