二次元層状物質を導入した反転積層窒化物深紫外発光素子の研究
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21K04903
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
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| Research Institution | Mie University |
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Principal Investigator |
窪谷 茂幸 三重大学, 地域創生戦略企画室, 特任准教授(研究担当) (70583615)
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| Project Period (FY) |
2021-04-01 – 2022-03-31
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| Project Status |
Discontinued (Fiscal Year 2021)
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| Budget Amount *help |
¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Fiscal Year 2023: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2022: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2021: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
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| Keywords | 深紫外発光素子 / 窒化物半導体 / BN / AlGaN |
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| Outline of Research at the Start |
本研究では、六方晶窒化ホウ素（h-BN）をAlGaN深紫外LEDに導入するために、はじめに高温熱処理したh-BNテンプレートを作製し、その上に一般的なLEDの積層順序を反転した構造を成長する。この方法で、全ての層に最適な温度での結晶作製を可能にし、高い結晶品質を有する高発光効率AlGaN深紫外LEDの作製を目指す。また、二次元層状物質であるh-BN上のAlGaN成長についても明らかにする。
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、二次元層状物質である六方晶窒化ホウ素(h-BN)を導入した反転積層窒化物深紫外発光素子の作製を目指して、2021年度は、「BNテンプレートの作製」、「AlGaN深紫外発光層の結晶成長」、「BN層を用いた剥離」について研究開発を行った。
BNテンプレートの作製については、「スパッタ法」でBNを成膜した後に高温熱処理を行い作製する方法と、「有機金属気相成長法(MOVPE法)」を用いてBNを成長した後に高温熱処理を行い作製する方法の2種類の方法で検討を行った。スパッタ法を用いた方法では、焼結体BNターゲットを用いて窒素とアルゴンの混合雰囲気においてBNの成膜を行った。下地層には、サファイア基板、および、サファイア基板上にスパッタ法でAlNを成膜し高温熱処理を行って作製したAlN/サファイア基板を用いた。窒素雰囲気において高温熱処理を行い、高結晶品質BNテンプレートを作製した。また、BNにMgを添加する方法についても検討を行った。MOVPE法を用いた方法では、トリエチルボロンとアンモニアを交互供給しBNの成長を試みた。成長温度、交互供給条件などの成長条件の検討を行い、サファイア基板上およびAlN/サファイア基板上にBN薄膜の成長を行った。また、MOVPE法で成長したBN薄膜についても高温熱処理を行い、高結晶品質化を試みた。
AlGaN深紫外発光層の結晶成長については、AlN/サファイア基板上に、MOVPE法を用いてUV-C帯域に発光波長を有するAlGaN/AlGaN多重量子井戸構造を結晶成長し、構造・発光特性評価を行った。
BN層を用いた剥離については、AlN/サファイア基板を用いて作製した様々な膜厚のBNテンプレート上に、スパッタ法でAlNを成膜してAlN/BN/AlN構造を作製し、剥離特性の基礎検討を行った。
2022年4月の研究代表者の所属の変更に伴い中途終了した。
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Report
(1 results)
Research Products
(18 results)
