Highly spin polarized quantum dots with long spin relaxation time for future circularly polarized light emitting diodes

• Project/Area Number: 22360032
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Applied optics/Quantum optical engineering
• Research Institution: Waseda University
• Principal Investigator: TAKEUCHI Atsushi 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (80298140)
• Project Period (FY): 2010 – 2012
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2012)
• Budget Amount: ¥20,150,000 (Direct Cost: ¥15,500,000、Indirect Cost: ¥4,650,000); Fiscal Year 2012: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000); Fiscal Year 2011: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000); Fiscal Year 2010: ¥14,430,000 (Direct Cost: ¥11,100,000、Indirect Cost: ¥3,330,000)
• Keywords: 光制御 / スピントロニクス / 量子ドット / 円偏光 / フォトルミネッセンス / 発光ダイオード / 半導体 / 薄膜・量子構造 / 光物件 / エピタキシャル成長 / 光物性 / エじタキシャル成長

Research Abstract

For the realization of the circularly polarized light emitting diode, spin polarizations and spin relaxation times of some III-V compound semiconductors were investigated. InAs columnar quantum dots showed 3.42 ns-spin relaxation at 1.06 micron meter. The highly uniform InAs quantum dots exhibited the stable eliptical polarization caused by the in-plane anisostropies of the dot shape and strain distribution. Highly Si doped GaInP showed 210 ns-spin relaxation which is one of the longest spin relaxations ever observed.

Research Products

• [Journal Article] Observation of optical anisotropy of highly uniform InAs quantum dots (2013)
  • Author(s): M. Uemura, J. Ohta, R. Yamaguchi, K. Yamaguchi, A. Tackeuchi
  • Journal Title: Journal of Crystal Growth Volume: (in press) Pages: 463-465
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.102
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Picoseconds Carrier Spin Relaxation in In_<0.8>Ga_<0.2>As/AlAs/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> Coupled Double Quantum Wells (2013)
  • Author(s): Ryo Yamaguchi, Shinichiro Gozu, Teruo Mozume, Yoshitsugu Oyanagi, Mitsunori Uemura, Atsushi Tackeuchi
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 52 Issue: 4S Pages: 04CM05-04CM05
  • DOI: 10.7567/jjap.52.04cm05
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium (2012)
  • Author(s): W. He, S.L. Lu, D.S. Jiang, J.R. Dong, A. Tackeuchi, H. Yang
  • Journal Title: Journal of Applied Physics Volume: 112 Issue: 2 Pages: 23509-23509
  • DOI: 10.1063/1.4737611
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Exciton and carrier spin relaxations in InGaAs lattice-matched to off-cut Ge substrates (2012)
  • Author(s): Takenori Ushimi, Hiromi Nakata, Toshihiro Ishizuka, Kazutoshi Sasayama, Shulong Lu, Jianrong Dong, and Atsushi Tackeuchi
  • Journal Title: Applied Physics Letters Volume: 100 Issue: 25 Pages: 252414-252414
  • DOI: 10.1063/1.4730386
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Temperature Dependence of Spin Relaxation Time in InAs Columnar Quantum Dots at 10 to 150K (2012)
  • Author(s): Sota Nakanishi, Kazutoshi Sasayama, Yoshitsugu Oyanagi, Ryo Yamaguchi, Shulong Lu, Lianhe Li, Andrea Fiore, and Atsushi Tackeuchi
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 51 Issue: 4S Pages: 04DM05-04DM05
  • DOI: 10.1143/jjap.51.04dm05
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Exciton spin relaxation in In_<0.53>Ga_<0.47>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> quantum wells (2012)
  • Author(s): K. Sasayama, S. Nakanishi, R. Yamaguchi, Y. Oyanagi, T. Ushimi, S. Gozu, T. Mozume, and A. Tackeuchi
  • Journal Title: Applied Physics Letters Volume: 100 Issue: 9 Pages: 92401-92401
  • DOI: 10.1063/1.3690833
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Carrier spin relaxation in GaInNAsSb/GaNAsSb/GaAs quantum well (2011)
  • Author(s): T. Asami, H. Nosho,L.H. Li, J.C. Harmand, S.L. Lu, A. Tackeuchi
  • Journal Title: AIP Conference Proceedings Volume: 1399 Pages: 665-666
  • DOI: 10.1063/1.3666552
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Carrier spin relaxation in InGaAs/AlAsSb quantum wells (2011)
  • Author(s): T. Nukui, S. Gozu, T. Mozume, S. Izumi, Y. Saeki, A. Tackeuchi
  • Journal Title: AIP Conference Proceedings Volume: 1399 Pages: 659-660
  • DOI: 10.1063/1.3666549
  • Peer Reviewed
• [Presentation] Be ドープp 型GaAs のスピン緩和の観測 (10-100 K) (2013)
  • Author(s): 浅香尚洋, 石塚俊裕, S. L. Lu, 竹内淳
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] 低温成長GaAsの10Kにおけるスピン緩和の観測 (2013)
  • Author(s): 上村光典, 本多一輝, 山口亮, S. L. Lu, 竹内淳
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] Beドープp型GaAsのスピン緩和の観測(10-100 K) (2013)
  • Author(s): 浅香尚洋
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] InGaAs/AlAsSb多重量子井戸の励起子スピン緩和 (2012)
  • Author(s): 笹山和俊, 上付光典, 佐宗麻子, 牛頭信一郎, 物集照夫, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
  • Year and Date: 2012-03-18
• [Presentation] GaAs/AlGaAs二重量子井戸のスピン緩和の観測 (2012)
  • Author(s): 笹山和俊, 山口亮, 中西奏太, 武藤俊一, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
  • Year and Date: 2012-03-18
• [Presentation] Ge基板上高SiドープGaInPのスピン緩和(10-300K) (2012)
  • Author(s): 石塚俊裕, Shulong Lu, Jianrong Dong, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
  • Year and Date: 2012-03-16
• [Presentation] 210-ns-long Spin Relaxation of Heavily Si-doped GaInP lattice-matched to Ge Substrates (2012)
  • Author(s): T. Ishizuka, T. Ushimi, H. Nakata, S. L. Lu, J. R. Dong and A. Tackeuchi
  • Organizer: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • Place of Presentation: Kyoto, Japan
• [Presentation] Picoseconds Carrier Spin Relaxation in In_<0.8>Ga_<0.2>As/AlAs/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> Coupled Double Quantum Wells (2012)
  • Author(s): Ryo Yamaguchi, Shinichiro Gozu, Teruo Mozume, Yoshitsugu Oyanagi, Mitsunori Uemura, Atsushi Tackeuchi
  • Organizer: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • Place of Presentation: Kyoto, Japan
• [Presentation] Observation of optical anisotropy of highly uniform InAs quantum dots (2012)
  • Author(s): M. Uemura, J. Ohta, R. Yamaguchi, K. Yamaguchi, A. Tackeuchi
  • Organizer: The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • Place of Presentation: Nara
• [Presentation] In0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44 結合量子井戸のスピン緩和時間の温度依存性 (2012)
  • Author(s): 山口亮,牛頭信一郎, 物集照夫, 小柳慶継, 上村光典, 竹内淳
  • Organizer: 2012 年秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] 単層高均一InAs 量子ドットの面内異方性の観測 (2012)
  • Author(s): 上村光典, 太田潤, 山口亮, 山口浩一, 竹内淳
  • Organizer: 2012 年秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] In_<0.8>Ga_<0.2>As/AlAs_<0.56>Sb_<0.44> 多重量子井戸の室温におけるスピン緩和の観測 (2012)
  • Author(s): 石塚俊裕, 浅香尚洋, 牛頭信一郎, 物集照夫, 竹内淳
  • Organizer: 2012 年秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] Ge 基板上に格子整合したInGaAs のピコ秒スピン緩和の観測 (2012)
  • Author(s): 浅香尚洋、石塚俊裕、牛見健則、S. L. Lu、 J. R. Dong、竹内淳
  • Organizer: 2012 年秋季第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] Ge 基板上高Si ドープGaInP のスピン緩和(10-300 K) (2012)
  • Author(s): 石塚俊裕,牛見健則,中田大海,Shulong Lu,Jianrong Dong,竹内淳
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] GaAs/AlGaAs 二重量子井戸のスピン緩和の観測 (2012)
  • Author(s): 笹山和俊,山口亮,中西奏太,小柳慶継, 武藤俊一,竹内淳
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] InGaAs/AlAsSb 多重量子井戸の励起子スピン緩和 (2012)
  • Author(s): 笹山和俊,上村光典,中西奏太,山口亮,小柳慶継,佐宗麻子,牛頭信一郎,物集照夫,竹内淳
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] InAs コラムナ量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性(10～100K) (2012)
  • Author(s): 中西奏太, 笹山和俊, 小柳慶継, 山口亮, Shulong Lu, Lianhe Li, Andrea Fiore, 竹内淳
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] 210-ns-long Spin Relaxation of Heavily Si-doped GaInP lattice-matched to Ge Substrates (2012)
  • Author(s): T. Ishizuka
  • Organizer: International Conference on Solid State Devices and Materials
  • Place of Presentation: Kyoto
• [Presentation] Picoseconds Carrier Spin Relaxation in In0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44 Coupled Double Quantum Wells (2012)
  • Author(s): Ryo Yamaguchi
  • Organizer: International Conference on Solid State Devices and Materials
  • Place of Presentation: Kyoto
• [Presentation] Ge 基板上に格子整合したInGaAs のピコ秒スピン緩和の観測 (2012)
  • Author(s): 浅香尚洋
  • Organizer: 第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] In0.8Ga0.2As/AlAs0.56Sb0.44多重量子井戸の室温におけるスピン緩和の観測 (2012)
  • Author(s): 石塚 俊裕
  • Organizer: 第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] 単層高均一InAs量子ドットの面内異方性の観測 (2012)
  • Author(s): 上村光典
  • Organizer: 第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] In0.8Ga0.2As/AlAs/AlAs0.56Sb0.44結合量子井戸のスピン緩和時間の温度依存性 (2012)
  • Author(s): 山口 亮
  • Organizer: 第73回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 愛媛大学
• [Presentation] InGaAs/AlAsSb多重量子井戸のスピン緩和 (2011)
  • Author(s): 山口亮、牛頭信一郎、物集照夫、竹内淳, 他
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
  • Year and Date: 2011-11-28
• [Presentation] 単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和 (2011)
  • Author(s): 笹山和俊, 太田潤, 中西奏太, 山口浩一, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
  • Year and Date: 2011-11-28
• [Presentation] GaInNxAs/GaAs多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性 (2011)
  • Author(s): 中田大海, S.L.Lu, L.F.Bian, Z.C.Niu, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
  • Year and Date: 2011-11-28
• [Presentation] 時間分解フォトルミネッセンス測定によるGe基板上高SiドープGaInPのスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 石塚俊裕, S.L.Lu, J.R.Dong, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(RASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
  • Year and Date: 2011-11-28
• [Presentation] Ge基板上に成長させたInGaAsのスピン緩和の観測(10-300K) (2011)
  • Author(s): 牛見健則, 中田大海, S.L.Lu, J.R.Dong, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業人学
  • Year and Date: 2011-11-28
• [Presentation] InAsコラムナ量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性(1.0～100K) (2011)
  • Author(s): 中西奏太, Shulong Lu, Lianhe Li, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
  • Year and Date: 2011-11-28
• [Presentation] Temperature Dependence d Spin Relaxation Time in InAs Columnar Quantum Dots at 10 to 50K (2011)
  • Author(s): S.Nakanishi, S.Lu, L.H.Li, A.Fiore, A.Tackeuchi, et al
  • Organizer: International Conference on Solid State Devices and Materials
  • Place of Presentation: Aichi Industry & Labor Center(愛知県)
  • Year and Date: 2011-09-28
• [Presentation] PVPまたはPVK層に埋め込まれたCdTeナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定 (2011)
  • Author(s): 山口亮, Dong-Yeol Yun, Tas-Whan Kim, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学(山形県)
  • Year and Date: 2011-09-01
• [Presentation] Ge基板上に成長させたInGaAsのスピン緩和の観測(10-300K) (2011)
  • Author(s): 牛見健則, Shulong Lu, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学(山形県)
  • Year and Date: 2011-09-01
• [Presentation] 時間分解フォトルミネッセンス測定によるGe基板上高SiドープGaInPのスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 石塚俊裕, 牛見健則、Shulong Lu, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学(山形県)
  • Year and Date: 2011-09-01
• [Presentation] GaInNxAs/GaAs多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性II (2011)
  • Author(s): 中田大海, Shulong Lu, Zhichuan Niu, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学(山形県)
  • Year and Date: 2011-09-01
• [Presentation] InAsコラムナ量子ドットにおけるスピン緩和時間の温度依存性 (2011)
  • Author(s): 中西奏太, Shulong Lu, Lianhe Li, Andrea Fiore, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学(山形県)
  • Year and Date: 2011-09-01
• [Presentation] 単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性 (2011)
  • Author(s): 笹山和俊, 太田潤, 中西奏太, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学(山形県)
  • Year and Date: 2011-09-01
• [Presentation] InGaAs/AlAsSb多重量子井戸の低温(10K)でのスピン緩和時間測定 (2011)
  • Author(s): 小柳慶継, 牛頭信一郎, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学(山形県)
  • Year and Date: 2011-09-01
• [Presentation] Nitrogen concentration dependence of spin relaxation time in GaInNxAs/GaAs quantum wells (2011)
  • Author(s): H.Nakata, T.Asami, S.L.Lu, Z.C.Niu, A.Tackeuchi, et al
  • Organizer: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • Place of Presentation: くにびきメッセ(島根県)
  • Year and Date: 2011-08-01
• [Presentation] Observation of spin relaxation in single-layer highly uniform InAs quantum dots by time-resolved pump-and-probe measurement (2011)
  • Author(s): K.Sasayama, J.Ohta, A.Tackeuchi, et al
  • Organizer: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • Place of Presentation: くにびきメッセ(島根県)
  • Year and Date: 2011-08-01
• [Presentation] Observation of spin relaxation in InGaAs grown on germanium substrate (2011)
  • Author(s): T.Ushimi, S.L.Lu, J.R.Dong, A.Tackeuchi, et al
  • Organizer: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • Place of Presentation: くにびきメッセ(島根県)
  • Year and Date: 2011-08-01
• [Presentation] 時間分解ポンププローブ反射計測によるGe基板上InGaAsバルクのスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 牛見健則, 浅見健志, 中田大海, Shulong Lu, 竹内淳
  • Organizer: 第58回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
  • Year and Date: 2011-03-27
• [Presentation] 時間分解ポンププローブ反射計測による高均一InAs量子ドットのスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 笹山和俊, 太田潤, 貫井貴夫, 中西奏太, 山口浩一, 竹内淳
  • Organizer: 第58回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
  • Year and Date: 2011-03-25
• [Presentation] PVKまたはPMMA層に埋め込まれたCdTeナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定 (2011)
  • Author(s): 中西奏太, D-Y.Yun, T-W.Kim, S-W.Kim, S-W.Kim, 竹内淳, 他
  • Organizer: 第58回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
  • Year and Date: 2011-03-25
• [Presentation] GaInNxAs/GaAs多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性 (2011)
  • Author(s): 中田大海, 浅見健志, 牛見健則, S.Lu, B.Lifeng, Z.Niu, 竹内淳
  • Organizer: 第58回 応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
  • Year and Date: 2011-03-25
• [Presentation] Ge 基板上に成長させたInGaAs のスピン緩和の観測(10-300 K) (2011)
  • Author(s): 牛見健則, 中田大海, 石塚俊裕, S. L. Lu, J. R. Dong, 竹内淳
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
• [Presentation] 時間分解フォトルミネッセンス測定によるGe 基板上高Si ドープGaInP のスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 石塚俊裕, 牛見健則, 中田大海, S. L. Lu, J. R. Dong, 竹内淳
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
• [Presentation] GaInNxAs/GaAs 多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性 (2011)
  • Author(s): 中田大海, 牛見健則, 石塚俊裕, S. L. Lu, L. F. Bian, Z. C. Niu, 竹内淳
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
• [Presentation] 単層高均一InAs 量子ドットのスピン緩和 (2011)
  • Author(s): 笹山和俊, 太田潤, 中西奏太, 小柳慶継, 山口亮, 山口浩一, 竹内淳
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
• [Presentation] InGaAs/AlAsSb 多重量子井戸のスピン緩和 (2011)
  • Author(s): 山口亮、笹山和俊、中西奏太、小柳慶継、牛頭信一郎、物集照夫、竹内淳
  • Organizer: 第16回半導体スピン工学の基礎と応用研究会(PASPS-16)
  • Place of Presentation: 東京工業大学
• [Presentation] Temperature Dependence of Spin Relaxation Time in InAs Columnar Quantum Dots at 10 to 50 K (2011)
  • Author(s): S. Nakanishi, K. Sasayama, Y. Oyanagi, R. Yamaguchi, S. Lu, L. H. Li, A. Fiore and A. Tackeuchi
  • Organizer: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • Place of Presentation: Nagoya, Japan
• [Presentation] PVP またはPVK 層に埋め込まれたCdTeナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定 (2011)
  • Author(s): 山口亮,Dong-Yeol Yun,Tae-Whan Kim,Sung-Woo Kim,Sang-Wook Kim,笹山和俊, 中西奏太,小柳慶継,竹内淳
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] Ge 基板上に成長させたInGaAs のスピン緩和の観測(10-300 K) (2011)
  • Author(s): 牛見健則,中田大海,石塚俊裕,Shulong Lu,Jianrong Dong,竹内淳
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] 時間分解フォトルミネッセンス測定によるGe 基板上高Si ドープGaInP のスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 石塚俊裕,牛見健則,中田大海,Shulong Lu,Jianrong Dong,竹内淳
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] GaInNxAs/GaAs 多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性II (2011)
  • Author(s): 中田大海,牛見健則,石塚俊裕,Shulong Lu,Bian Lifeng,Zhichuan Niu,竹内淳
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] InAs コラムナ量子ドットにおけるスピン緩和時間の温度依存性 (2011)
  • Author(s): 中西奏太,笹山和俊,小柳慶継,Shulong Lu,Lianhe Li,Andrea Fiore, 竹内淳
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] 単層高均一InAs 量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性 (2011)
  • Author(s): 笹山和俊,太田潤,中西奏太,小柳慶継,山口亮,山口浩一,竹内淳,
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] InGaAs/AlAsSb 多重量子井戸の低温(10K)でのスピン緩和時間測定 (2011)
  • Author(s): 小柳慶継,牛頭信一郎,物集照夫,笹山和俊,中西奏太,山口亮,竹内淳
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] Nitrogen concentration dependence of spin relaxation time in GaInNxAs/GaAs quantum wells (2011)
  • Author(s): H. Nakata, T. Asami, T. Ushimi, T. Ishizuka, S. L. Lu, Z. C. Niu, and A. Tackeuchi
  • Organizer: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • Place of Presentation: Matsue, Japan
• [Presentation] Observation of spin relaxation in single-layer highly uniform InAs quantum dots by time-resolved pump-and-probe measurement (2011)
  • Author(s): K. Sasayama, J. Ohta, S. Nakanishi, K. Yamaguchi, and A. Tackeuchi
  • Organizer: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • Place of Presentation: Matsue, Japan
• [Presentation] Observation of spin relaxation in InGaAs grown on germanium substrate (2011)
  • Author(s): T. Ushimi, T. Asami, H. Nakata, T. Ishizuka, S. L. Lu, J. R. Dong, and A. Tackeuchi
  • Organizer: 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology
  • Place of Presentation: Matsue, Japan
• [Presentation] 時間分解ポンププローブ反射計測によるGe 基板上InGaAs バルクのスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 牛見健則,浅見健志,中田大海,Shulong Lu,竹内淳
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] 時間分解ポンププローブ反射計測による高均一InAs 量子ドットのスピン緩和の観測 (2011)
  • Author(s): 笹山和俊,太田潤,貫井貴夫,中西奏太,山口浩一,竹内淳
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] PVK またはPMMA 層に埋め込まれたCdTe ナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定 (2011)
  • Author(s): 中西奏太,Dong-Yeol Yun,Tae-Whan Kim,Sung-Woo Kim,Sang-Wook Kim,貫井貴夫,笹山和俊,竹内淳
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学
• [Presentation] GaInNxAs/GaAs 多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性 (2011)
  • Author(s): 中田大海,浅見健志,牛見健則,Shulong Lu,Bian Lifeng,Zhichuan Niu,竹内淳
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学