高強度パルスイオン注入法による超硬質半導体の導電率制御
| Project/Area Number |
22540502
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Plasma science
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| Research Institution | University of Toyama |
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Principal Investigator |
升方 勝己 富山大学, その他の研究科, 教授 (80157198)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
伊藤 弘昭 富山大学, 大学院・理工学研究部(工学), 准教授 (70302445)
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| Project Period (FY) |
2010-04-01 – 2013-03-31
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| Project Status |
Declined (Fiscal Year 2012)
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| Budget Amount *help |
¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000)
Fiscal Year 2012: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2011: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2010: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000)
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| Keywords | 高強度パルスイオンビーム / パルスイオン注入 / パルスパワー技術 / 炭化ケイ素 / パルス電力技術 / アルミニウムイオン源 |
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| Research Abstract |
本研究の目的は高強度パルスイオンビームの応用の1つである炭化珪素(Sic)やダイアモンド等の超硬半導体へのパルスイオン注入の実用化である。そのためにはイオン注入に適用が可能なパルスイオンビーム(イオン電流密度及びイオン純度)の実現や基礎的なデータ収集が必要である。そこで、これまでの研究成果に基づき、窒素イオンビームをシリコン基板に照射し、照射効果を検証した。また、SiCのp型ドーパントとして期待されるアルミニウムイオンビーム発生を目指して、細線放電イオン源を開発してその特性評価を行った。具体的な成果は以下のとおりである。
(1)窒素パルスイオンビームの照射実験
パルスイオンビームの照射効果を検証するためにガラス基板上に生成されたアモルファスシリコン薄膜にイオンビームを照射した結果、アモルファス薄膜が多結晶化しており、パルスイオンビームによる照射効果を確認した。
(2)アルミニウムイオン源の開発
実験の結果、これまで使用してきた真空アークイオン源と比較してイオン発生の安定性が向上し、出力も100A/cm^2を超えるイオン電流が得られることが確認され、パルスビーム源として応用が可能であることを確認した。今後は加速ギャップに組み込み、加速実験を行う必要がある。
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Report
(2 results)
Research Products
(22 results)
