Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
分子は、ナノメーターサイズの均一な粒子であり、理想的な量子ドットとして機能する。本研究課題では、シリコン縦型トランジスタに磁性分子を集積し、“分子量子ビット”へ応用する。具体的には、申請者が有する分子を壊すことなくトンネル絶縁膜に内包する技術を活かして、シリコン金属-絶縁体-半導体構造の絶縁膜に“孤立分散した磁性分子をスピン量子ドット”として集積する。さらに、上記トンネル接合をチャネル層に用いた単電子スピントランジスタへ展開し、磁場中での分子スピンによる分子軌道変調をトンネル電流により検出することで量子ビット動作を実証する。