Project/Area Number |
22H01958
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
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Research Institution | Nara Institute of Science and Technology |
Principal Investigator |
浦岡 行治 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (20314536)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
上沼 睦典 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (20549092)
Bermundo J.P.S 奈良先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 助教 (60782521)
來福 至 青山学院大学, 理工学部, 助教 (60936871)
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Project Period (FY) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥17,420,000 (Direct Cost: ¥13,400,000、Indirect Cost: ¥4,020,000)
Fiscal Year 2023: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000)
Fiscal Year 2022: ¥6,760,000 (Direct Cost: ¥5,200,000、Indirect Cost: ¥1,560,000)
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Keywords | 原子層堆積法 / 高集積化 / 3次元素子 / 信頼性 / メモリ / 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 三次元高集積回路 |
Outline of Research at the Start |
近未来社会において、技術を支える半導体LSIに対する性能向上と低消費電力化の要望はますます高まりつつある。この課題を解決することのできるのが、InGaZnOを中心とする金属酸化物薄膜形成技術である。しかし、従来の金属酸化膜はスパッタ法で形成されていたため、均一性においてスパッタ法を用いる限り完全な解決は得られない。そこで新たに原子層堆積法による膜厚の均一な金属酸化物薄膜の形成実現とその膜成長メカニズムを解明する。原料の選択や組み合わせ、基板温度やガス供給タイミングなどの形成条件が電子物性に与える影響を明らかにし、本膜をチャネルとした縦型トランジスタと不揮発性メモリの試作実証する。
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