Project/Area Number |
22H01970
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
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Research Institution | Mie University |
Principal Investigator |
三宅 秀人 三重大学, 工学研究科, 教授 (70209881)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山田 陽一 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授 (00251033)
上杉 謙次郎 三重大学, 研究基盤推進機構, 准教授 (40867305)
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
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Project Period (FY) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥17,290,000 (Direct Cost: ¥13,300,000、Indirect Cost: ¥3,990,000)
Fiscal Year 2023: ¥6,110,000 (Direct Cost: ¥4,700,000、Indirect Cost: ¥1,410,000)
Fiscal Year 2022: ¥5,720,000 (Direct Cost: ¥4,400,000、Indirect Cost: ¥1,320,000)
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Keywords | 窒化物半導体 / 深紫外LED / 非極性面 / エピタキシャル成長 / アニール / AlGaN / AlN |
Outline of Research at the Start |
波長220-250 nm帯深紫外LEDの実現を目的として、サファイアr面およびm面を用いたa面および半極性面AlGaN/AlNの結晶成長とデバイス開発を行う。申請者が開発したAlNの高温アニール技術を適応して、a面及び半極性面AlN成長で課題であった転位密度の低減を実現する。さらに、低欠陥密度非極性面AlNテンプレート上におけるAlGaN成長形態の制御法と、非極性面上では未開拓のp形分極ドーピン法、n形選択エピ電極形成を導入して、LEDの発光波長を220 nm帯まで拡大する。
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