脱炭素社会の一翼を担うパワー半導体向け電界スパイキングスライス技術の開発

• Project/Area Number: 22K03871
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 18020:Manufacturing and production engineering-related
• Research Institution: Akita Industrial Technology Center
• Principal Investigator: 久住 孝幸 秋田県産業技術センター, 先進プロセス開発部, 上席研究員 (40370233)
• Project Period (FY): 2022-04-01 – 2025-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2022)
• Budget Amount: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000); Fiscal Year 2024: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2023: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2022: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
• Keywords: 電界 / ワイヤーソー / 砥粒 / 半導体 / 電流

Outline of Research at the Start

省エネルギ型のパワーデバイス半導体の出現が待望されているが，新素材として期待されるSiC，GaN，酸化ガリウムやダイヤモンドは，化学的に安定で高硬度であるため加工コストが高い．そこで，半導体基板製造工程において多くの時間を占めるワイヤー切断工程に,極短時間の間欠電流による微細なダメージを生じさせ，その後，そこに電界泳動で砥粒を配置制御することで高効率な切断加工を行う「電界スパイキングスライス技術」を創出する．