水素による透明金属酸化インジウムの半導体転移と固相結晶化フレキシブルトランジスタ

Research Project

Project/Area Number	22K04200
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Kochi University of Technology
Principal Investigator	古田守高知工科大学, 環境理工学群, 教授 (20412439)
Project Period (FY)	2022-04-01 – 2025-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2022)
Budget Amount *help	¥4,290,000 (Direct Cost: ¥3,300,000、Indirect Cost: ¥990,000) Fiscal Year 2024: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2023: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2022: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Keywords	酸化物半導体 / 酸化インジウム / 薄膜トランジスタ / 固相結晶化 / フレキシブルデバイス
Outline of Research at the Start	本研究は、水素添加した酸化インジウム（InOx:H）薄膜の低温（～250℃）熱処理による固相結晶化メカニズム、ならびに電気的性質の金属－半導体転移メカニズムを明らかにすることにより、これまで透明金属として用いられてきた多結晶InOx薄膜に高移動度酸化物半導体材料として新たな機能を創成する。本研究を通じ、耐熱温度が低いプラスチック基板上に高移動度多結晶InOx:Hトランジスタを実証し、フレキシブルデバイスの飛躍的性能向上を狙う。