Resistive switching at sub-nano gaps driven by piled sub-nano clusters with chemical surface modification

Research Project

Project/Area Number	22K04859
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 28010:Nanometer-scale chemistry-related
Research Institution	Toyota Technological Institute
Principal Investigator	安松久登豊田工業大学, 工学部, 客員教授 (20281660)
Project Period (FY)	2022-04-01 – 2025-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2022)
Budget Amount *help	¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000) Fiscal Year 2024: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2023: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2022: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords	サブナノクラスター / クラスター堆積 / サブナノギャップ / 抵抗スイッチング
Outline of Research at the Start	サブナノ粒子間の空隙の特性制御と電導現象の解明を目指して、数個から百個程度の原子で構成されるサブナノサイズのクラスター堆積された抵抗スイッチング素子を作製し、その電気特性を計測することで、サブナノクラスター堆積素子の特徴を引き出し、既存概念を超えた新規な機構で動作する電子素子物質群創生の方向性を示す。堆積されたクラスター間の空隙を流れるトンネル電気伝導に対して、クラスターのサイズ、形状、表面の化合状態、印加するパルス電圧の形状がどのように関わっているのかを追求し、動作原理解明の方法論を示す。メモリ素子の高速・大容量・高耐久・低電力化に繋げて、安全・安心社会の構築に貢献する。