水ガスを用いた原料分子種生成制御反応の解明による高品質酸化インジウム結晶の創出

Research Project

Project/Area Number	22K04953
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	Sophia University
Principal Investigator	富樫理恵上智大学, 理工学部, 助教 (50444112)
Project Period (FY)	2022-04-01 – 2025-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2022)
Budget Amount *help	¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000) Fiscal Year 2024: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2023: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2022: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Keywords	酸化インジウム半導体結晶 / 熱力学解析 / 気相成長
Outline of Research at the Start	酸化インジウム(In2O3)結晶は、次世代光・電子デバイス応用のための半導体材料として有望である。今回、高純度金属インジウムと水ガスの反応で一酸化インジウム(In2O)分子を選択的に生成する新規原料分子種生成制御法を提案する。生成したIn2Oガスと追加供給する水ガスとの反応により、In2O3成長を実施する。本手法は、原料分子種に塩化物を用いないため、安全かつ簡便な成長手法である。本研究では、高温・高速高純度In2O3成長を実現し、デバイス応用につなげる。さらに、In2Oガス、Ga2Oガス、及び水ガス間の反応による (GaxIn1-x)2O3混晶成長へ研究を進展させ、新たな研究分野を切り開く。