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次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明

Research Project

Project/Area Number 22K04956
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research InstitutionMeijo University

Principal Investigator

今井 大地  名城大学, 理工学部, 准教授 (20739057)

Project Period (FY) 2022-04-01 – 2025-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
Fiscal Year 2024: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2023: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000)
Fiscal Year 2022: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Keywords窒化物半導体 / ギャップ内吸収 / 光熱偏向分光法 / AlInN / 光吸収 / サブバンドギャップ / 面発光レーザー / 半導体レーザー / 深い準位 / 吸収係数
Outline of Research at the Start

紫から緑色で実用化された窒化物系半導体レーザー(LD)の更なる高効率・高出力化や実用波長域拡大がグリーン化とデジタル化を促進する次世代光源開発に必要である。LDを構成する窒化物系混晶半導体薄膜のサブギャップ領域の電子状態を介して起こる光吸収損失や熱発生過程は、LDの動作効率低減を引き起こす根源となるためその制御が重要であるが、未だ不明な点が多い。本研究では研究代表者が提案した微小な吸収係数の定量評価手法に基づき、サブギャップ領域における光吸収過程(吸収係数)と、それに伴う熱発生過程、更には熱輸送過程を定量評価する解析手法を構築し、LD素子内部での光吸収や熱発生の本質的制御指針の解明を目指す。

Outline of Annual Research Achievements

半導体レーザー(LD)動作時の光吸収損失や熱発生の根源となるためその制御が重要でありながら、窒化物系混晶半導体薄膜のサブギャップ領域の電子状態を介して起こる光吸収や熱発生過程には不明な点が多い。本研究では、サブギャップ領域における光吸収過程(吸収係数)とそれに伴う熱発生過程の解析、更には発生熱の輸送過程(熱伝導率)を定量評価する手法を構築し、LD素子内部での光吸収や熱発生の本質的制御指針の解明を目指している。
昨年度までに膜厚300nmのAlInN混晶において光熱偏向分光法(PDS法)によるサブギャップ吸収過程の観測と、分光エリプソメトリーと組み合わせることによる光吸収係数の定量評価を達成した。令和5年度は、半導体レーザーのクラッド層や面発光レーザーの分布ブラッグ反射鏡など、実際の素子構造と同様の100nm以下のAlInN混晶薄膜におけるバンドギャップ内吸収過程解析を試みた。その結果、試料構造の工夫により膜厚40 nmに相当するAlInN混晶におけるサブギャップ吸収過程を明瞭に観測することに成功した。またその過程でAlInN混晶の下地層であるGaNについてもサブギャップ吸収過程の解析を進め、得られた光吸収係数の定量的精度や、サブギャップ吸収を引き起こす起源の考察を進めた。また、PDS法を用いた熱輸送過程解析手法の構築については、厚膜GaN基板において光熱偏向信号の周波数依存性を測定し、理論モデルにより実験スペクトルをフィッティングすることで、熱伝導率の導出が可能であることを明らかにした。さらに解析精度向上を狙って、測定条件が解析精度に与える影響の検討を進めた。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

GaN/サファイアテンプレート上に成膜した膜厚90nmのAlInN混晶のPDSスペクトルからは、膜厚300 nmの試料で観測されたようなリファレンス用GaNテンプレート(AlInN混晶なし)に対するPDS信号増大は観測されなかった。これはAlInN混晶の薄膜化による吸収係数低減を示唆している。AlInN混晶では膜厚が50-100nmを超えるとGaNと格子整合するIn組成であっても結晶性が急激に劣化することが報告されており、この時、サブギャップ吸収も膜厚増加に伴い増加しているものと考えられる。そこで100nm以下の薄膜試料においてPDS信号を抽出する方策として、膜厚40nmのAlInN混晶と10nmのGaNを交互に多周期積層した試料を作製し、下地GaNに対するAlInN混晶層の膜厚比増大によるPDS信号強度増強を試みた。これにより、リファレンス用GaNテンプレートに対する明瞭なPDS信号強度増大を観測することに成功した。今後はバンド内準位を介した輻射過程の影響についても評価し、PDS法を基軸としたサブギャップ領域における吸収係数の定量評価の可能性追求と、サブギャップ吸収を引き起こす起源の解明を目指す。また、PDS法を用いた熱輸送過程解析については、厚膜GaN基板においてPDS信号の周波数依存性を測定し、熱拡散方程式に基づき導出したモデル関数によりフィッティングすることで熱伝導率の評価を行った。この際、解析精度向上に対して、試料とプローブ光間の距離制御が重要であることを明らかにした。今後は本評価手法の確立と、熱伝導率解析精度向上を進める。
以上のように、混晶薄膜におけるサブギャップ吸収過程の解析、PDS法を用いた熱輸送過程(熱伝導率)解析手法の構築は当初の予定通り進んでいるため、進捗状況は概ね順調に進んでいると判断した。

Strategy for Future Research Activity

AlInN混晶については、多周期構造試料における解析を進め、サブギャップ吸収の起源の解明を目指す。またPDSスペクトルと透過スペクトルや励起スペクトルを詳細に比較することにより、窒化物半導体におけるPDSスペクトルの特徴や、PDS法を基軸としたサブギャップ領域における吸収係数の定量評価に関する可能性を追求する。熱伝導率解析については、その定量性や精度に関して引き続き検討を進め、研究期間終了までに最適な実験解析手法の構築を目指す。

Report

(2 results)
  • 2023 Research-status Report
  • 2022 Research-status Report
  • Research Products

    (12 results)

All 2024 2023

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (10 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results)

  • [Journal Article] Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template2024

    • Author(s)
      Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima, Tetsuya Takeuchi
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 135 Issue: 3

    • DOI

      10.1063/5.0181231

    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Development of High-Reflectivity and Antireflection Dielectric Multilayer Mirrors for AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes and their Device Applications2023

    • Author(s)
      Ayumu Yabutani, Ryota Hasegawa, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Daichi Imai, Sho Iwayama, Yoshito Jin, Tatsuya Matsumoto, Masamitsu Toramaru, Hironori Torii, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya
    • Journal Title

      Physica Status Soldi A

      Volume: 220 Issue: 16 Pages: 831-837

    • DOI

      10.1002/pssa.202200831

    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Analysis of the sub-bandgap optical absorption in sub-100-nm-thick Al1-xInxN alloys by using photothermal deflection spectroscopy2024

    • Author(s)
      Kouki Noda, Kana Shibata, Kenta Kobayashi, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, and Takao Miyajima
    • Organizer
      ISPlasma/IC-PLANTS 2024
    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Characterizations of the thermal properties for nitride-based wide bandgap semiconductors by photothermal deflection spectroscopy2024

    • Author(s)
      Mayu Nomura, Daichi Imai, and Takao Miyajima
    • Organizer
      ISPlasma/IC-PLANTS 2024
    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] GaN/Al1-xInxN多重積層構造におけるバンドギャップ内光吸収過程の解析2024

    • Author(s)
      野田 幸樹、小林 憲汰、今井 大地、竹内 哲也、宮嶋 孝夫
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] 光熱偏向信号の周波数依存性解析によるGaNの熱伝導率評価2024

    • Author(s)
      野村 麻友、今井 大地、宮嶋 孝夫
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] 光熱偏向分光法による窒化物系混晶半導体薄膜の光・熱物性評価に関する理論的検討2023

    • Author(s)
      野村 麻友, 野田 幸樹, 今井 大地, 宮嶋 孝夫
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] 光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成された バンドギャップ内準位の評価2023

    • Author(s)
      市川 颯人, 宇田 陽, 野田 幸樹, 今井 大地, 竹内 哲也, 宮嶋 孝夫
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] Structural Analysis of a Single Ga1 x In x N/GaN Multi quantum Shell by using an X-ray Nano beam from Synchrotron Radiation2023

    • Author(s)
      Takao Miyajima, Takato Ichikawa, Nobuhiro Yasuda, Ryota Kobayashi, Shoya Ota, Yasuhiko Imai, Kazushi Sumitani, Shigeru Kimura, Tomoyo Nakao, Sakiko Enomoto, Shigeo Arai, Satoshi Kamiyama, Daichi Imai
    • Organizer
      14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in Al 1 x In x N thin films grown on a c plane GaN/Sapphire template2023

    • Author(s)
      Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima
    • Organizer
      14th International Conference on Nitride Semiconductors
    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Analysis of the sub-bandgap optical absorption processes in 300 nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template by photothermal deflection spectroscopy2023

    • Author(s)
      Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kazutoshi Kubo, Kyosuke Masaki, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima
    • Organizer
      ISPlasma/IC-PLANTS 2023
    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 光熱偏向分光法によるAl1-xInxN混晶薄膜のギャップ内光吸収過程評価2023

    • Author(s)
      野田 幸樹,村上 裕人,豊田 隼大, 柴田 夏奈, 野村 麻友, 市川 颯人, 今井 大地,宮嶋 孝夫, 三好 実人, 竹内 哲也
    • Organizer
      第70回春季応用物理学会学術講演会
    • Related Report
      2022 Research-status Report

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Published: 2022-04-19   Modified: 2024-12-25  

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