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窒化物半導体の結晶極性起因の逆符号分極電荷制御による量子閉じ込め構造の構築

Research Project

Project/Area Number 22K14612
Research Category

Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research InstitutionKyoto University (2023)
Mie University (2022)

Principal Investigator

正直 花奈子  京都大学, 工学研究科, 講師 (60779734)

Project Period (FY) 2022-04-01 – 2025-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2024: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2023: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2022: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Keywords窒化物半導体 / 極性 / 気相成長
Outline of Research at the Start

窒化物半導体AlNの結晶極性(Al極性、N極性)を積層方向および面内方向の両方について制御する。積層方向の結晶極性反転構造は、スパッタ法と高温アニール法を組み合わせたスパッタアニール法で作製するスパッタアニールAlNで行う。この後、プロセスと結晶成長を行うことで面内方向の極性反転を制御する。この結晶極性起因の逆符号分極電荷により、分極効果によりAlGaN量子構造のエネルギーポテンシャルの局在化を行うことを目的として研究する。

Outline of Annual Research Achievements

窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)はそのバンドギャップエネルギーが深紫外波長域に対応していることから深紫外発光素子応用に有用であり、励起子束縛エネルギーが室温以上であることから従来の用途に加えて量子光学応用に適した物性を有する。また窒化物半導体の最安定相であるウルツ鉱型構造はc軸方向に反転対象が欠如していることから極性を持ち、N極性(000-1)とIII族極性(0001では逆方向の分極(自発分極・圧電分極)を有する。 窒化物半導体の極性面成長において、分極効果は電子と正孔の波動関数の重なり積分を小さくして発光効率を低下させる量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)として知られている。本研究では、このQCSEとなる分極効果を逆手にとり、量子光源応用にも有利な物性を有する窒化物半導体において、量子ドットのような局在化したエネルギーポテンシャルの作製方法として、結晶極性起因の逆符号分極電荷の導入を提案している。具体的には、AlNの結晶極性起因の逆符号分極電荷により、分極効果によるAlGaN量子構造のエネルギーポテンシャルの局在化を行う。
2023年度は、昨年度調べた積層方向に極性反転したAlNテンプレートの作製条件に付いて更に詳細に調べ、積層方向に多層に極性反転ができることを見出した。ウエハボンディングで実現できる2層構造より更に多層の極性反転構造が実現できたことは本研究課題の応用のみならず、波長変換素子などへの応用にも有用である。また、表面の経時的な酸化による影響を受けず極性を保ったまま成長できる手段を検討した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

2層以上の多層の極性反転構造を積層方向に数百ナノメートル程度の膜厚で実現できたことは、研究計画以上の進捗である。一方、面内極性反転構造の実現に対しては、表面酸化膜の除去などの条件検討を進めており当初の研究計画より僅かに遅れているが、先行してミクロスコピックな領域での光学測定評価ができる環境を整えた。これらを総合するとおおむね順調に進展していると考えられる。

Strategy for Future Research Activity

極性反転構造の多層化について、未知の部分である可能な最小膜厚などを調べて、応用に繋げる。また、MOVPE再成長前の炉内での処理を工夫することで、極性と平坦な表面を保ったまま再成長する手段を試み、再成長後に光学測定を行う。

Report

(2 results)
  • 2023 Research-status Report
  • 2022 Research-status Report
  • Research Products

    (55 results)

All 2024 2023 2022 2021

All Journal Article (9 results) (of which Peer Reviewed: 9 results,  Open Access: 5 results) Presentation (46 results) (of which Int'l Joint Research: 18 results,  Invited: 8 results)

  • [Journal Article] Optical activation of implanted lanthanoid ions in aluminum nitride semiconductors by high temperature annealing2024

    • Author(s)
      Sato Shin-ichiro、Shojiki Kanako、Yoshida Ken-ichi、Minagawa Hideaki、Miyake Hideto
    • Journal Title

      Optical Materials Express

      Volume: 14 Issue: 2 Pages: 340-340

    • DOI

      10.1364/ome.507312

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    • Author(s)
      Honda Hiroto、Umeda Soshi、Shojiki Kanako、Miyake Hideto、Ichikawa Shuhei、Tatebayashi Jun、Fujiwara Yasufumi、Serita Kazunori、Murakami Hironaru、Tonouchi Masayoshi、Uemukai Masahiro、Tanikawa Tomoyuki、Katayama Ryuji
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 16 Issue: 6 Pages: 062006-062006

    • DOI

      10.35848/1882-0786/acda79

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    • Author(s)
      Namikawa Gaku、Shojiki Kanako、Yoshida Riku、Kusuda Ryusei、Uesugi Kenjiro、Miyake Hideto
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth

      Volume: 617 Pages: 127256-127256

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2023.127256

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    • Author(s)
      Shojiki Kanako、Uesugi Kenjiro、Xiao Shiyu、Miyake Hideto
    • Journal Title

      Materials Science in Semiconductor Processing

      Volume: 166 Pages: 107736-107736

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2023.107736

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      Journal of Electronic Materials

      Volume: - Issue: 8 Pages: 5099-5108

    • DOI

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      Applied Physics Express

      Volume: 15 Issue: 11 Pages: 116502-116502

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    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 15 Issue: 5 Pages: 051004-051004

    • DOI

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      Shin Yoshida,Kanako Shojiki,Hideto Miyake,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji Katayama
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 61 Issue: 3 Pages: 030904-030904

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac55e5

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      K. Uesugi, K. Shojiki, S. Xiao, S. Ichikawa, T. Nakamura, M. Tsuchiya, K. Kojima, H. Miyake
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      H. Miyake,K. Uesugi,S. Xiao,K. Shojiki,T. Nakamura
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2022)
    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] サファイア上へのMOVPE法によるBN成長と高温アニール2022

    • Author(s)
      井谷 彩花,窪谷 茂幸,肖 世玉,正直 花奈子,上杉 謙次郎,三宅 秀人
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2022 Research-status Report
  • [Presentation] m面サファイア基板上スパッタアニールAlNの面方位制御2022

    • Author(s)
      上杉 謙次郎,張 芸賢,正直 花奈子,肖 世玉,三宅 秀人
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2022 Research-status Report
  • [Presentation] スパッタアニール法作製a面AlNにおける結晶性のスパッタ温度依存性2022

    • Author(s)
      小川 優輝,渋谷 康太,上杉 謙次郎,肖 世玉,正直 花奈子,三宅 秀人
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
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      2022 Research-status Report
  • [Presentation] 極薄GaN/AlN超格子構造の作製におけるGaN層の膜厚依存性2022

    • Author(s)
      杢谷 直哉,和田 邑一,毛利 真一郎,出浦 桃子,正直 花奈子,三宅 秀人,荒木 努
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
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  • [Presentation] 2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生2022

    • Author(s)
      本田 啓人,正直 花奈子,上杉 謙次郎,三宅 秀人,芹田 和則,村上 博成,斗内 政吉,上向井 正裕,谷川 智之,片山 竜二
    • Organizer
      2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2022 Research-status Report
  • [Presentation] MOVPE Homoepitaxial Growth on N-polar Annealed Sputter-Deposited AlN Films2022

    • Author(s)
      G. Namikawa,K. Shojiki,R. Yoshida,K. Uesugi,H. Miyake
    • Organizer
      The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)
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    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Polarity Control of Face-to-Face Annealed Sputtered AlN2022

    • Author(s)
      K. Shojiki,K. Uesugi,S. Xiao,H. Miyake
    • Organizer
      The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)
    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Polarity Control of Sputter-Deposited AlN with High-Temperature Face-to-Face Annealing2022

    • Author(s)
      K. Shojiki,K. Uesugi,S. Xiao,H. Miyake
    • Organizer
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)
    • Related Report
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    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Fabrication of Face-to-Face Annealed Sputter-Deposited AlN for High EQE 265 nm LEDs2022

    • Author(s)
      Kenjiro Uesugi,Shigeyuki Kuboya,Takao Nakamura,Kanako Shojiki,Shiyu Xiao,Masataka Kubo,Hideto Miyake
    • Organizer
      The 5th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD 2022)
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      2022 Research-status Report
  • [Presentation] スパッタアニールAlNの極性制御2022

    • Author(s)
      正直花奈子,上杉謙次郎,肖世玉,三宅秀人
    • Organizer
      第一回極性制御研究会
    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Invited
  • [Presentation] Design and Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched HfO2/AlN Channel Waveguide for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation2022

    • Author(s)
      Hiroto Honda,Kanako Shojiki,Hideto Miyake,Shuhei Ichikawa,Yasufumi Fuijiwara,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji Katayama
    • Organizer
      The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)
    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High-Power UV-C LEDs on Face-toFace Annealed Sputter-Deposited AlN2022

    • Author(s)
      Kenjiro Uesugi,Shigeyuki Kuboya,Takao Nakamura,Kanako Shojiki,Shiyu Xiao,Masataka Kubo,Hideto Miyake
    • Organizer
      The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022)
    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Int'l Joint Research / Invited

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Published: 2022-04-19   Modified: 2024-12-25  

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