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Development of High-Performance Hole Transport Materials by Isovalent Impurities

Research Project

Project/Area Number 22K19094
Research Category

Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Medium-sized Section 36:Inorganic materials chemistry, energy-related chemistry, and related fields
Research InstitutionNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Principal Investigator

Matsuzaki Kosuke  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40571500)

Project Period (FY) 2022-06-30 – 2024-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥6,500,000 (Direct Cost: ¥5,000,000、Indirect Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 2023: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
Fiscal Year 2022: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
Keywords太陽電池 / ドーピング / 複合欠陥 / キャリアドーピング / 太陽電池材料 / 正孔輸送材料 / 溶液法 / ハライド材料
Outline of Research at the Start

次世代太陽電池と期待されているペロブスカイト太陽電池について、低耐久性の要因の1つである「有機正孔輸送層の代替材料開発」が喫緊の課題である。発電層の改良で変換効率向上が進む一方で、有機半導体を主体とした正孔輸送材料の開発は進んでいない。本研究では、1.化学的安定性、2.有機溶媒可溶性、3.均質性を特徴とし高正孔移動度を有するp型ワイドギャップハライド半導体を高耐久性の無機正孔輸送材料として提案する。

Outline of Final Research Achievements

Hole transport and photo absorption layers used in solar cells require high-performance p-type semiconductors that exhibit high mobility, and Cu(I) semiconductor have recently been considered as candidates. However, the carrier concentration in the p-type semiconductor, which is necessary for optimizing device performance, is difficult to control because the commonly used impurity doping with substitutional impurities cannot be used for monovalent Cu ions, which are a constituent element of the Cu(I) semiconductor. In this study, both experimental and theoretical investigations have shown that isovalent alkali metals are effective impurity dopants to improve hole concentration in several Cu(I) semiconductors.

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

本研究で開発したp型ドーピング法は、半導体素子に広く使われている基盤技術であり、太陽電池の性能向上につながると考えられる。また、アルカリ不純物による銅一価半導体の正孔ドーピングのメカニズムが明らかになり、未解明となっているCIS系太陽電池の性能向上に不可欠なアルカリ不純物の役割解明につながることが期待される。

Report

(3 results)
  • 2023 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2022 Research-status Report
  • Research Products

    (3 results)

All 2023 2022

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (2 results) (of which Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Hole-Doping to a Cu(I)-Based Semiconductor with an Isovalent Cation: Utilizing a Complex Defect as a Shallow Acceptor2022

    • Author(s)
      Matsuzaki Kosuke、Tsunoda Naoki、Kumagai Yu、Tang Yalun、Nomura Kenji、Oba Fumiyasu、Hosono Hideo
    • Journal Title

      Journal of the American Chemical Society

      Volume: 144 Issue: 36 Pages: 16572-16578

    • DOI

      10.1021/jacs.2c06283

    • Related Report
      2022 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Pd0価ドーピングによる窒化銅半導体のバンド構造制御と熱電特性2023

    • Author(s)
      松崎功佑, 片瀬貴義, 熊谷悠, 角田直樹, 原田航, 大場史康, 細野秀雄
    • Organizer
      日本セラミックス協会第36回秋季シンポジウム,
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
  • [Presentation] 複合欠陥を用いたCu(I)半導体材料への p型ドーピング法の開発2023

    • Author(s)
      松崎功佑,熊谷悠, 大場史康, 細野秀雄
    • Organizer
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
    • Invited

URL: 

Published: 2022-07-05   Modified: 2025-01-30  

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