プラズマ援用研磨プロセスによる単結晶GaN基板の高能率無歪加工
| Project/Area Number |
22K20410
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
|
| Allocation Type | Multi-year Fund |
|---|
| Review Section |
0301:Mechanics of materials, production engineering, design engineering, fluid engineering, thermal engineering, mechanical dynamics, robotics, aerospace engineering, marine and maritime engineering, and related fields
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
孫 栄硯 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (50963451)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2022-08-31 – 2024-03-31
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2023)
|
| Budget Amount *help |
¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000)
Fiscal Year 2023: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
Fiscal Year 2022: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
|
|---|
| Keywords | プラズマ援用研磨 / 窒化ガリウム（GaN） |
|---|
| Outline of Research at the Start |
本研究では、GaN基板に対するスラリーを用いない革新的な高能率無歪研磨を実現できる「プラズマ援用研磨プロセス」を実現するとともにその学理を探究する。
|
| Outline of Annual Research Achievements |
GaNウエハの加工コストを削減し、加工品質と効率を向上させるために、減圧プラズマ援用研磨（Plasma-assisted Polishing: PAP）法を提案した。PAP研磨レートを律速している表面改質レートを向上させるために、ガス種、チャンバー圧力、反応ガス濃度、電力密度等のプラズマ発生条件の最適化を行った。最適なプラズマ改質条件を用いて、GaNウエハの減圧PAP実験を実施した。PAP前のGaNウエハはCMPによって研磨されたが、スラリー中に含まれるアルカリ成分が結晶欠陥部においてエッチピットが多数存在した。一方で、1時間PAP加工によって、ピットフリーかつ表面粗さSa 0.2 nmのGaN表面が得られた。
|
Report
(2 results)
Research Products
(6 results)
