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Development of High-Performance and Real-time Biosensing Technologies Using Surface Functionalized Nanocarbon Materials

Research Project

Project/Area Number 22KJ1606
Project/Area Number (Other) 22J23113 (2022)
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeMulti-year Fund (2023)
Single-year Grants (2022)
Section国内
Review Section Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

松永 優希  名古屋大学, 理学研究科, 特別研究員(DC1)

Project Period (FY) 2023-03-08 – 2025-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
Fiscal Year 2024: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2023: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2022: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Keywordsカーボンナノチューブ / 化学ドーピング / PN接合ダイオード / 薄膜トランジスタ
Outline of Research at the Start

本研究では、申請者の持つ高いカーボンナノチューブ分離・精製技術、電子デバイス作製技術を土台として、細胞培養の世界に表面の化学修飾による状態密度変調や電子交換速度を自在に制御する表面化学修飾技術を新規アイデアとして持ち込むことで、細胞そのものの定着・分化・増殖・活動状態を厳密に把握・制御するデバイスの創出を目指す。これにより、これまで未解明であった細胞の学理を探究するとともに、パンデミックにおける創薬・ウィルス研究開発に迅速に対応できるバイオ電子デバイスの実現を目指す。

Outline of Annual Research Achievements

本年度はカーボンナノチューブ(CNT)に対して、P及びNドーピングを施したPN接合ダイオードの作製と評価を中心に取り組んだ。ドーピングに用いる分子でP型安定なものとして、200℃まで安定なP型ドーパントである1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile (HATCN)を用い、N型ドーパントには、水酸化カリウム(KOH)とクラウンエーテルの一種であるベンゾ-18-クラウン-6の複合塩(KOH/CE)を用いた。これらを用いてPN接合ダイオードを作製し、200℃で5時間加熱しても安定に動作することを確認した。具体的には、以下の手順によるデバイス作製プロセスを考案した。まず、カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ(CNT-TFT)を作製した後にKOH/CEブタノール溶液をスピンコートすることでデバイス全体にN型ドーピングを施した後、大気中の酸素や水によるN型特性の劣化を防ぐため、デバイス全面をアルミナ膜で被覆した。続いて電極を含むデバイス半分のアルミナ膜を水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液でエッチングするとともにN型ドーパントを洗浄した後、HATCNアセトニトリル溶液をスピンコートしてPN接合ダイオードを作製した。ドーピングの濃度条件は様々なCNT-TFTを作製して条件検討を行った。作製したデバイスを200℃に加熱したホットプレート上でデバイスを30, 100, 300分加熱してデバイスのI-V特性を測定した結果、作製したダイオードは200℃で300分加熱した後においても整流特性が得られ、温度耐性に優れたダイオードであることがわかった。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

前年度の進捗をふまえて予定していた高温安定化学ドーパントを半導体CNT薄膜に用いたPN接合ダイオードを作製することができた。それ以外にもプロトンの吸脱着によって導電性が変化する導電性ポリマーのスルホン化ポリアニリンをカーボンナノチューブ薄膜上に製膜することでpH変化や温度変化に対する電気的応答を得るためのデバイス作製と予備検討まで完了させることができた。

Strategy for Future Research Activity

今後はカーボンナノチューブ薄膜に対して様々な化学修飾やドーパントなどを調べることでpHや温度に対して大きく変化する分子探索を行うことを計画している。最終年度である3年であることをふまえて、カーボンナノチューブ薄膜上での化学修飾が細胞培養に与える影響評価や、導電性評価などを体系的に実施していく。

Report

(2 results)
  • 2023 Research-status Report
  • 2022 Annual Research Report
  • Research Products

    (6 results)

All 2023 2022

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (4 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Highly temperature-tolerant p-type carbon nanotube transistor doped with 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile2022

    • Author(s)
      Matsunaga Yuki、Hirotani Jun、Omachi Haruka
    • Journal Title

      AIP Advances

      Volume: 12 Issue: 4 Pages: 045322-045322

    • DOI

      10.1063/5.0087868

    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] CNT Gels Formed by a Triptycene Analogue Enabling Coexistence of CNT-gelator and Intergelator Interactions2022

    • Author(s)
      Ushiroguchi Ryo、Suizu Rie、Matsunaga Yuki、Omachi Haruka、Doi Yuya、Masubuchi Yuichi、Bandow Shunji、Awaga Kunio
    • Journal Title

      Chemistry Letters

      Volume: 51 Issue: 11 Pages: 1070-1073

    • DOI

      10.1246/cl.220319

    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] カーボンナノチューブに対する高温安定化学ドーピング技術の確立とデバイス応用2023

    • Author(s)
      松永優希
    • Organizer
      第12回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン若手研究会
    • Related Report
      2023 Research-status Report
    • Invited
  • [Presentation] 高温耐性p/n型ドーパントを用いたカーボンナノチューブ薄膜pn接合ダイオード2023

    • Author(s)
      松永優希, 内山晴貴, 大町遼, 廣谷潤
    • Organizer
      第14回マイクロ・ナノ工学シンポジウム
    • Related Report
      2023 Research-status Report
  • [Presentation] カーボンナノチューブ薄膜トランジスタに対する高い温度耐性を有するp型ドーピング法の開発2022

    • Author(s)
      松永優希, 廣谷潤, 大町遼
    • Organizer
      第59回炭素材料夏季セミナー
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] Highly temperature-tolerant p-type carbon nanotube transistor doped with 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile2022

    • Author(s)
      Yuki Matsunaga, Jun Hirotani, Haruka Omachi
    • Organizer
      35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022)
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2022-04-28   Modified: 2024-12-25  

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