A novel current injection in wide bandgap semiconductors with tunnel junctions

• Project/Area Number: 23560015
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Research Field: Applied materials science/Crystal engineering
• Research Institution: Meijo University
• Principal Investigator: TAKEUCHI Tetsuya 名城大学, 理工学部, 准教授 (10583817)
• Research Collaborator: KAMIYAMA Satoshi 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291) ; IWAYA Motoaki 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
• Project Period (FY): 2011 – 2013
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2013)
• Budget Amount: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000); Fiscal Year 2013: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000); Fiscal Year 2012: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2011: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
• Keywords: ワイドギャップ半導体 / 窒化物半導体 / トンネル接合 / 低抵抗化 / 水素脱理 / 電流狭窄 / Mg偏析 / メモリー効果 / 水素脱離

Research Abstract

The objective of this research is to develop a novel current injection in wide bandgap semiconductors, especially nitride semiconductors which are supreme materials for light emitting and detecting devices covering the ranges from infrared to deep ultraviolet. Such wide bandgap materials show highly resistive p-layers, resulting in poor characteristics of ultraviolet light emitting devices. In the research very low resistive tunnel junctions have been obtained. The highly resistive p-layers are replaced with the low resistive n-layers by the tunnel junctions, leading to novel light emitting and detecting devices. High In content GaInN tunnel junctions show one order of magnitude lower resistances than before. Current confinement micro light emitting diodes, micro displays and tandem solar cells have been developed with the tunnel junctions. The novel current injection with tunnel junctions has been established.

Research Products

• [Journal Article] (2014)
  • Author(s): M. Watanabe, K. Nakajima, M. Kaga, Y. Kuwano, D. Minamikawa, T. Suzuki, K. Yamashita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Volume: 53
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2014)
  • Author(s): H. Kurokawa, M. Kaga, T. Goda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and Amano
  • Journal Title: Appl. Phys. Exp. Volume: 7 Pages: 341041-341041
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Over 1000 channel nitride-based micro-light-emitting diode arrays with tunnel junctions (2014)
  • Author(s): M. Watanabe, K. Nakajima, M. Kaga, Y. Kuwano, D. Minamikawa, T. Suzuki, K. Yamashita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 53 Issue: 5S1 Pages: 05FL06-05FL06
  • DOI: 10.7567/jjap.53.05fl06
  • NAID: 210000143866
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Multijunction GaInN-based solar cells using a tunnel junction (2014)
  • Author(s): H. Kurokawa, M. Kaga, T. Goda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
  • Journal Title: Applied Physics Express Volume: 7 Issue: 3 Pages: 341041-341044
  • DOI: 10.7567/apex.7.034104
  • NAID: 210000137029
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2013)
  • Author(s): M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Volume: 52
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2013)
  • Author(s): Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Volume: 52
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2013)
  • Author(s): T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • Journal Title: Jpn. J. Appl. Phys. Volume: 52
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] GaInN-Based Tunnel Junctions in n–p–n Light Emitting Diodes (2013)
  • Author(s): M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 52 Issue: 8S Pages: 08JH06-08JH06
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jh06
  • NAID: 210000142699
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based light emitting diodes with tunnel junctions (2013)
  • Author(s): Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 52 Issue: 8S Pages: 08JK12-08JK12
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jk12
  • NAID: 210000142725
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Investigations of Polarization-Induced Hole Accumulations and Vertical Hole Conductions in GaN/AlGaN Heterostructures (2013)
  • Author(s): T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 52 Issue: 8S Pages: 08JJ05-08JJ05
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jj05
  • NAID: 210000142710
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] GaInN-based tunnel junctions in n-p-n light emitting diodes (2013)
  • Author(s): M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 印刷中
  • NAID: 210000142699
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] AlN mole fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AlGaN heterostructures (2013)
  • Author(s): T. Yasuda, K. Yagi, Tomoyuki Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 印刷中
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Crack-Free AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors on AlN Templates (2012)
  • Author(s): K.Yagi, M. Kaga, K. Yamashita, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi,S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 51 Issue: 5R Pages: 051001-051001
  • DOI: 10.1143/jjap.51.051001
  • NAID: 210000140586
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] (2011)
  • Author(s): 山下浩司、加賀充、矢木康太、鈴木敦、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • Journal Title: 電子情報通信学会技術研究報告 Volume: 111 Pages: 99-99
• [Journal Article] (2011)
  • Author(s): 加賀充、飯田大輔、北野司、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • Journal Title: 電子情報通信学会技術研究報告 Volume: 111 Pages: 105-105
• [Journal Article] AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 (2011)
  • Author(s): 矢木 康太、加賀 充、山下 浩司、竹田 健一郎、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Journal Title: 電子情報通信学会技術研究報告 Volume: 111 Pages: 89-93
  • NAID: 110008725969
• [Journal Article] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路の検討 (2011)
  • Author(s): 山下 浩司、加賀 充、矢木 康太、鈴木敦志、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Journal Title: 電子情報通信学会技術研究報告 Volume: 111 Pages: 99-104
• [Journal Article] 窒化物半導体トンネル接合の作製 (2011)
  • Author(s): 加賀 充、飯田大輔、北野 司、山下 浩司、矢木 康太、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Journal Title: 電子情報通信学会技術研究報告 Volume: 111 Pages: 105-110
  • NAID: 110008725972
• [Presentation] (2014)
  • Author(s): T. Takeuchi, D. Minamikawa, Y. Kuwano, M. Watanabe, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Organizer: International conference on metamaterials and nanophysics 2014
  • Place of Presentation: Varadero, Cuba
  • Invited
• [Presentation] (2014)
  • Author(s): T. Morita, M. Kaga, Y. Kuwano, K. Matsui, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: Conference on LED and its Industrial Application 2013
  • Place of Presentation: Yokohama, Japan
• [Presentation] (2014)
  • Author(s): Y. Kuwano, M. Ino, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
  • Place of Presentation: Nagoya, Japan
• [Presentation] (2014)
  • Author(s): M. Ino, Y. Kuwano, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: Conference on LED and its Ondustrial Application 2014
  • Place of Presentation: Yokohama, Japan
• [Presentation] (2014)
  • Author(s): 桑野侑香、堀川航佑、森田隆敏、井野匡貴、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
  • Organizer: 第61回春季応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 相模原
• [Presentation] (2014)
  • Author(s): 井野匡貴、森田隆敏、桑野侑香、渡邉雅大、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
  • Organizer: 第61回春季応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 相模原
• [Presentation] An alternative hole injection:Nitride-based tunnel junctions (2014)
  • Author(s): T. Takeuchi, D. Minamikawa, Y. Kuwano, M. Watanabe, M. Iwaya, S. Kamiyama, I. Akasaki
  • Organizer: International conference on metamaterials and nanophysics 2014
  • Place of Presentation: Varadero, Cuba
  • Invited
• [Presentation] Nitride-Based p-Side Down LEDs on Tunnel Junction (2014)
  • Author(s): T. Morita, M. Kaga, Y. Kuwano, K. Matsui, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: Conference on LED and Its Industrial Application ’13
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜、横浜
• [Presentation] Current confinement by nitride-based tunnel junction (2014)
  • Author(s): Y. Kuwano, M. Ino, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: ISplasma2014
  • Place of Presentation: 名城大学、名古屋
• [Presentation] Nitride-Based Light Emitting Diodes with Buried Tunnel Junctions (2014)
  • Author(s): M. Ino, Y. Kuwano, T. Morita, D. Minamikawa, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: Conference on LED and Its Industrial Application ’14
  • Place of Presentation: パシフィコ横浜、横浜
• [Presentation] III族窒化物半導体トンネル接合上の高効率LED (2014)
  • Author(s): 井野 匡貴、森田隆敏、 桑野侑香、渡邉雅大、竹内哲也、 上山 智、 岩谷素顕、赤崎 勇
  • Organizer: 第61回春季応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 青山学院大学、相模原
• [Presentation] III族窒化物半導体埋め込みトンネル接合による電流狭窄構造 (2014)
  • Author(s): 桑野 侑香、堀川 航佑、森田 隆敏、井野 匡貴、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤﨑 勇
  • Organizer: 第61回春季応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 青山学院大学、相模原
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): D. Minamikawa, M. Kaga, Y. Kuwano, T. Morita, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Organizer: Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2013
  • Place of Presentation: New Taipei City, Taiwan
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): M. Watanabe, M. Kaga, K. Yamashita, T. Suzuki, D. Minamikawa, Y. Kuwano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: 10th International Conference of Nitride Semiconductors
  • Place of Presentation: Washington DC, USA
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): M. Watanabe, M. Kaga, T. Suzuki, D. Minamikawa, Y. Kuwano, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • Place of Presentation: Kyoto, Japan
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): 竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
  • Organizer: 日本学術振興ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第86回研究会
  • Place of Presentation: 名城大、名古屋
  • Invited
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): 中島啓介、渡邉雅大、加賀充、鈴木智行、南川大智、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
  • Organizer: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 京都
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): 黒川泰視、合田智美、加賀充、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • Organizer: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 京都
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): 森田隆敏、加賀充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川
• [Presentation] (2013)
  • Author(s): 桑野侑香、加賀充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川
• [Presentation] 窒化物半導体における分極の影響と発光素子への応用 (2013)
  • Author(s): 竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
  • Organizer: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 大阪大学、大阪
  • Invited
• [Presentation] オーバーフロー抑制に向けたnp接合GaInN-LED (2013)
  • Author(s): 竹内哲也、岩谷素顕、上山 智、赤﨑 勇
  • Organizer: 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第86回研究会
  • Place of Presentation: 名城大学、名古屋
  • Invited
• [Presentation] Bandgap dependence in nitride semiconductor-based tunnel junctions (2013)
  • Author(s): D. Minamikawa, M. Kaga, Y. Kuwano, T.Morita, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Organizer: Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2013
  • Place of Presentation: New Taipei City, Taiwan
• [Presentation] 10-μm-Square Micro LED Array with Tunnel Junction (2013)
  • Author(s): Masahiro Watanabe, Mitsuru Kaga, Koji Yamashita, Tomoyuki Suzuki, Daichi Minamikawa, Yuka Kuwano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Karniyarna, Motoaki Iwaya, and Isarnu Akasaki
  • Organizer: 10th International Conference of Nitride Semiconductors
  • Place of Presentation: Washington DC, USA
• [Presentation] 10 um square micro LED and 100 channel array with tunnel junctions (2013)
  • Author(s): Masahiro Watanabe, Mitsuru Kaga, Koji Yamashita, Tomoyuki Suzuki, Daichi Minamikawa, Yuka Kuwano, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, and Isamu Akasaki:
  • Organizer: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • Place of Presentation: 同志社大学、京都
• [Presentation] トンネル接合を有する青色マイクロLED の電流電圧特性 (2013)
  • Author(s): 中島啓介, 渡邉雅大 , 加賀 充 , 鈴木智行 , 南川大智, 竹内哲也, 上山 智 , 岩谷素顕, 赤崎 勇
  • Organizer: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 大阪大学
• [Presentation] トンネル接合を活用した窒化物半導体多接合太陽電池の作製 (2013)
  • Author(s): 黒川泰視，合田智美，加賀充，岩谷素顕，竹内哲也，上山智，赤﨑勇，天野浩
  • Organizer: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 同志社大学、京都
• [Presentation] 青色面発光レーザに向けた電流狭窄構造の検討 (2013)
  • Author(s): 中島 啓介，渡邉 雅大，加賀 充，鈴木 智行，南川 大智，竹内 哲也，上山 智，岩谷 素顕，赤﨑 勇
  • Organizer: 第74回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 同志社大学、京都
• [Presentation] トンネル接合を用いたIII族窒化物半導体多接合型太陽電池 (2013)
  • Author(s): 合田智美, 黒川泰視，森田隆敏, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇, 天野浩
  • Organizer: 応用物理学会 SC東海地区学術講演会2013
  • Place of Presentation: 名古屋大学、名古屋
• [Presentation] トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 (2013)
  • Author(s): 黒川泰視, 合田智美, 加賀 充, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山 智, 赤﨑 勇, 天野 浩
  • Organizer: 電子情報通信学会 (ED, CPM, LQE合同研究会）
  • Place of Presentation: 大阪大学、大阪
• [Presentation] GaInNトンネル接合素子の低抵抗化 (2013)
  • Author(s): 森田隆敏、加賀 充、桑野侑香、松井健城、渡邉雅大、竹内哲也、上山 智、岩谷素顕、赤﨑 勇
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川
• [Presentation] 横方向p型活性化における雰囲気ガス依存性 (2013)
  • Author(s): 桑野侑香、加賀充、森田隆敏、山下浩司、南川大智、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川
• [Presentation] LED構造上GaNトンネル接合の低抵抗化 (2013)
  • Author(s): 南川大智、加賀充、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川
• [Presentation] 非対称AlN/GaN多層膜反射鏡の設計と作製 (2013)
  • Author(s): 萩原康大、矢木康太、安田俊輝、竹田健一郎、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤﨑勇
  • Organizer: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 神奈川
• [Presentation] Nitride-based p-side down LEDs on tunnel junction (2013)
  • Author(s): T. Morita, M. Kaga, Y. Kuwano, K. Matsui, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: Conference on LED and its industrial application '13
  • Place of Presentation: Yokohama, Japan
• [Presentation] Bandgap Dependence in Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions (2013)
  • Author(s): D. Minamikawa, M. Kaga, Y. Kuwano, T. Morita, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, I. Akasaki
  • Organizer: The 6th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors
  • Place of Presentation: New Taipei City, Taiwan
• [Presentation] (2012)
  • Author(s): M. Kaga, M. Yamashita, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Organizer: 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • Place of Presentation: Pusan, Korea
• [Presentation] (2012)
  • Author(s): M. Kaga, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yamashita, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • Place of Presentation: Sapporo, Japan
• [Presentation] (2012)
  • Author(s): T. Yasuda, K. Yagi, T. Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and Isamu Akasaki
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • Place of Presentation: Sapporo, Japan
• [Presentation] (2012)
  • Author(s): Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • Place of Presentation: Sapporo, Japan
• [Presentation] (2012)
  • Author(s): 森田隆敏、加賀充、桑野侑香、松井健城、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇
  • Organizer: 第73回応用物理学会講演会
  • Place of Presentation: 愛媛
• [Presentation] (2012)
  • Author(s): 加賀充、山下浩司、森田隆敏、桑野侑香、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] (2012)
  • Author(s): 桑野侑香、山下浩司、加賀充、矢木康太、森田隆敏、松井健城、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇、天野浩
  • Organizer: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] Optimizations of Nitride Semiconductor-Based Tunnel Junctions (2012)
  • Author(s): M. Kaga, K. Yamashita, T. Morita, Y. Kuwano, K. Yagi, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Organizer: 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • Place of Presentation: Pusan, Korea
• [Presentation] Investigation of AlN/GaN Multilayer Stacks for DBR Applications (2012)
  • Author(s): K. Yagi, M. Kaga, K. Yamashita, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki
  • Organizer: 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
  • Place of Presentation: Pusan, Korea
• [Presentation] Lateral hydrogen diffusion at p-GaN layers in nitride-based LEDs with tunnel junctions (2012)
  • Author(s): Y. Kuwano, M. Kaga, T. Morita, T. Takeuchi, M. Iwaya, S. Kamiyama, and I. Akasaki
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • Place of Presentation: Sapporo, Japan
• [Presentation] AlN mole fraction dependence of polarization induced hole concentrations in GaN/AlGaN heterostructures (2012)
  • Author(s): T. Yasuda, K. Yagi, Tomoyuki Suzuki, T. Nakashima, M. Watanabe, T. Takeuchi, S. Kamiyama, M. Iwaya, and I. Akasaki
  • Organizer: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
  • Place of Presentation: Sapporo, Japan
• [Presentation] n型GaN直下におけるトンネル接合およびp型GaN活性化の検討 (2012)
  • Author(s): 桑野侑香、山下浩司、加賀充、森田隆敏、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
  • Organizer: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 東京
• [Presentation] III族窒化物半導体を用いた低抵抗トンネル接合 (2012)
  • Author(s): 森田隆敏、加賀充、桑野侑香、山下浩司、松井健城、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤﨑勇
  • Organizer: 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
  • Place of Presentation: 東京
• [Presentation] III族窒化物半導体トンネル接合を用いたn-p接合LED (2012)
  • Author(s): 森田隆敏，加賀 充，桑野侑香，松井健城，竹内哲也，上山 智，岩谷素顕，赤崎 勇
  • Organizer: 第73回応用物理学会講演会
  • Place of Presentation: 愛媛
• [Presentation] 窒化物半導体トンネル接合による低抵抗電流注入 (2012)
  • Author(s): 加賀 充、山下 浩司、森田 隆敏、桑野 侑香、矢木 康太、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇
  • Organizer: 第59 回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] n 型GaN 表面層を有するトンネル接合p 型層活性化の検討 (2012)
  • Author(s): 桑野侑香、山下浩司、加賀充、矢木康太、森田隆敏、松井健城、竹内哲也、岩谷素顕、上山智、赤崎勇、天野浩
  • Organizer: 第59 回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] DBR 応用のためのAlN/GaN 多層膜積層構造の検討 (2012)
  • Author(s): 矢木 康太、加賀 充、山下 浩司、竹田 健一郎、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Organizer: 第59 回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] 二つの活性層を有する窒化物半導体発光ダイオードのキャリア注入制御 (2012)
  • Author(s): 松井 健城、山下 浩司、加賀 充、森田 隆敏、 鈴木 智行、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤崎 勇
  • Organizer: 第59 回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] AlGaInN量子井戸の発光特性に関する検討 (2012)
  • Author(s): 鈴木 智行、加賀 充、北野 司、難波江宏一、平野 敬祐、竹内 哲也、上山 智、岩谷 素顕、赤崎 勇
  • Organizer: 第59 回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 早稲田大学
• [Presentation] (2011)
  • Author(s): 加賀充、山下浩司、矢木康太、岩谷素顕、竹内哲也、上山智、赤崎勇、天野浩
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] 窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング (2011)
  • Author(s): 加賀 充、山下 浩司、矢木 康太、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] AlN/GaN多層膜反射鏡の高反射率化 (2011)
  • Author(s): 矢木 康太、加賀 充、山下 浩司、竹田 健一郎、谷川 智之、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Organizer: 第72回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 山形大学
• [Presentation] AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製 (2011)
  • Author(s): 矢木 康太、加賀 充、山下 浩司、竹田 健一郎、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Organizer: 電子情報通信学会電子部品・材料研究会
  • Place of Presentation: 名古屋大学
• [Presentation] III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路の検討 (2011)
  • Author(s): 山下 浩司、加賀 充、矢木 康太、鈴木敦志、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Organizer: 電子情報通信学会電子部品・材料研究会
  • Place of Presentation: 名古屋大学
• [Presentation] 窒化物半導体トンネル接合の作製 (2011)
  • Author(s): 加賀 充、飯田大輔、北野 司、山下 浩司、矢木 康太、岩谷 素顕、竹内 哲也、上山 智、赤崎 勇、天野 浩
  • Organizer: 電子情報通信学会電子部品・材料研究会
  • Place of Presentation: 名古屋大学
• [Book] ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果- (2013)
  • Author(s): 竹内哲也(分担)
  • Publisher: 株式会社エヌ・ティー・エス
• [Book] ポストシリコン半導体 －ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果－ (2013)
  • Author(s): 竹内哲也（分担）
  • Total Pages: 11
  • Publisher: 株式会社エヌ・ティー・エス
• [Book] 次世代半導体におけるナノ成膜ダイナミックスと界面量子効果 (2013)
  • Author(s): 竹内哲也
  • Total Pages: 11
  • Publisher: 株式会社エヌ･ティー･エス
• [Patent(Industrial Property Rights)] 窒化物半導体発光素子の製造方法、および窒化物半導体発光素子 (2014)
  • Inventor(s): 竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、赤崎 勇
  • Industrial Property Rights Holder: 名城大学
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 2014-035192
  • Filing Date: 2014-02-26
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 電流狭窄を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法 (2013)
  • Inventor(s): 竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山 智、赤崎勇
  • Industrial Property Rights Holder: 名城大学
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 2013-025361
  • Filing Date: 2013-02-13
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体発光素子アレイおよびその製造方法 (2013)
  • Inventor(s): 竹内哲也、渡邉雅大、岩谷素顕、赤崎 勇
  • Industrial Property Rights Holder: 名城大学
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 2013-155760
  • Filing Date: 2013-07-26
  • Overseas
• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体発光素子アレイおよびその作成方法 (2013)
  • Inventor(s): 竹内哲也、 渡邉雅大、岩谷素顕、赤崎 勇
  • Industrial Property Rights Holder: 名城大学
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 2013-155760
  • Filing Date: 2013-07-26
• [Patent(Industrial Property Rights)] 電流狭窄を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法 (2013)
  • Inventor(s): 竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
  • Industrial Property Rights Holder: 竹内哲也、桑野侑香、岩谷素顕、上山智、赤﨑勇
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 2013-025361
  • Filing Date: 2013-02-13